[实用新型]一种SiC/Si混合型三相三电平ANPC逆变器拓扑结构

权利要求书

1.一种SiC/Si混合型三相三电平ANPC逆变器拓扑结构，包括直流电源U_dc、直流分压电容C₁、直流分压电容C₂，三相三电平ANPC逆变桥桥臂A、桥臂B、桥臂C，输出滤波电感、输出滤波电容以及负载电阻，直流分压电容C₁的正极端与直流电源U_dc的正极连接，构成的节点为电位点P，直流分压电容C₁的负极端与直流分压电容C₂的正极端连接，构成的节点为电位点O，直流分压电容C₂的负极端与直流电源U_dc的负极连接，构成的节点为电位点N；其特征在于，三相三电平ANPC逆变桥包括工频模块与高频模块，工频模块以功率管S_a5和功率管S_a6、功率管S_b5和功率管S_b6、功率管S_c5和功率管S_c6组成，均采用Si IGBT，高频模块以功率管S_a1、功率管S_a2、功率管S_a3、功率管S_a4和功率管S_b1、功率管S_b2、功率管S_b3、功率管S_b4和功率管S_c1、功率管S_c2、功率管S_c3、功率管S_c4组成，均采用SiC MOSFET。

2.根据权利要求1所述的SiC/Si混合型三相三电平ANPC逆变器拓扑结构，其特征在于，所述桥臂A包括功率管S_a1到S_a6，功率管S_a1的漏极与电位点P连接，功率管S_a1的源极与功率管S_a5的集电极和功率管S_a2的漏极连接，功率管S_a5的发射极与功率管S_a6的集电极和电位点O连接，功率管S_a6的发射极与功率管S_a4的漏极和功率管S_a3的源极连接，功率管S_a4的源极与电位点N连接，功率管S_a2的源极与功率管S_a3的漏极连接，节点为电位点A，作为逆变器A相输出端；

所述桥臂B包括功率管S_b1到S_b6，功率管S_b1的漏极与电位点P连接，功率管S_b1的源极与功率管S_b5的集电极和功率管S_b2的漏极连接，功率管S_b5的发射极与功率管S_b6的集电极和电位点O连接，功率管S_b6的发射极与功率管S_b4的漏极和功率管S_b3的源极连接，功率管S_b4的源极与电位点N连接，功率管S_b2的源极与功率管S_b3的漏极连接，节点为电位点B，作为逆变器B相输出端；

所述桥臂C包括功率管S_c1到S_c6，功率管S_c1的漏极与电位点P连接，功率管S_c1的源极与功率管S_c5的集电极和功率管S_c2的漏极连接，功率管S_c5的发射极与功率管S_c6的集电极和电位点O连接，功率管S_c6的发射极与功率管S_c4的漏极和功率管S_c3的源极连接，功率管S_c4的源极与电位点N连接，功率管S_c2的源极与功率管S_c3的漏极连接，节点为电位点C，作为逆变器C相输出端。