[实用新型]开关管单元及拓扑结构

说明书

本实用新型涉及开关管技术领域，公开了一种开关管单元及拓扑结构，所述开关管单元所述开关管单元包括第一开关管、第二开关管以及第三开关管，所述第一开关管为低压大电流开关管，所述第二开关管为高压小电流开关管；其中，所述第一开关管的第二端接地，所述第一开关管的第三端与所述第三开关管的第二端连接；所述第二开关管的第二端接地，所述第二开关管的第三端与所述第三开关管的第三端连接。本实用新型提供的一种开关管单元及拓扑结构，能够增大拓扑结构中开关管的选型范围，同温升和能效性能下降低器件成本。

技术领域

本实用新型涉及开关管技术领域，特别是涉及一种开关管单元及拓扑结构。

背景技术

传统宽电压输入的拓扑结构，无论是全桥、半桥亦或是反激，都要考虑高电压小电流和低电压大电流两种工况。

为了同时满足两种工况，不得不选用昂贵的高压大电流的开关管，而且选型范围也很窄，导致导通电阻等参数也无法选的很低，使得低压大电流时的温升较大及能效较差。

实用新型内容

本实用新型实施例所要解决的技术问题是：提供一种开关管单元以及拓扑结构，增大拓扑结构中开关管的选型范围。

为了解决上述技术问题，第一方面，本实用新型实施例提供一种开关管单元，所述开关管单元包括第一开关管、第二开关管以及第三开关管，所述第一开关管为低压大电流开关管，所述第二开关管为高压小电流开关管；其中，

所述第一开关管的第二端接地，所述第一开关管的第三端与所述第三开关管的第二端连接；

所述第二开关管的第二端接地，所述第二开关管的第三端与所述第三开关管的第三端连接。

作为一个优选方案，所述第一开关管为增强型NMOS，则，所述第一开关管的第一端为栅极，所述第一开关管的第二端为源极，所述第一开关管的第三端为漏极；

所述第二开关管为增强型NMOS，则，所述第二开关管的第一端为栅极，所述第二开关管的第二端为源极，所述第二开关管的第三端为漏极；

所述第三开关管为增强型NMOS，则，所述第三开关管的第一端为栅极，所述第三开关管的第二端为源极，所述第三开关管的第三端为漏极。

作为一个优选方案，所述第一开关管为三极管，则，所述第一开关管的第一端为基极，所述第一开关管的第二端为发射极，所述第一开关管的第三端为集电极；

所述第二开关管为三极管，则，所述第二开关管的第一端为基极，所述第二开关管的第二端为发射极，所述第二开关管的第三端为集电极；

所述第三开关管为三极管，则，所述第三开关管的第一端为基极，所述第三开关管的第二端为发射极，所述第三开关管的第三端为集电极。

作为一个优选方案，所述第一开关管为IGBT，则，所述第一开关管的第一端为栅极，所述第一开关管的第二端为发射极，所述第一开关管的第三端为集电极；

所述第二开关管为IGBT，则，所述第二开关管的第一端为栅极，所述第二开关管的第二端为发射极，所述第二开关管的第三端为集电极；

所述第三开关管为IGBT，则，所述第三开关管的第一端为栅极，所述第三开关管的第二端为发射极，所述第三开关管的第三端为集电极。

作为一个优选方案，所述第三开关管为管理型的长开长断慢管。

为了解决上述技术问题，第二方面，本实用新型实施例提供一种拓扑结构，包括如第一方面任一项所述的开关管单元。

作为一个优选方案，所述拓扑结构还包括控制芯片；其中，

所述控制芯片的第一Gate端与所述第一开关管的第一端连接；

所述控制芯片的第二Gate端与所述第二开关管的第一端连接；