[实用新型]开关管单元及拓扑结构

权利要求书

1.一种开关管单元，其特征在于，所述开关管单元包括第一开关管、第二开关管以及第三开关管，所述第一开关管为低压大电流开关管，所述第二开关管为高压小电流开关管；其中，

所述第一开关管的第二端接地，所述第一开关管的第三端与所述第三开关管的第二端连接；

所述第二开关管的第二端接地，所述第二开关管的第三端与所述第三开关管的第三端连接。

2.根据权利要求1所述的开关管单元，其特征在于，

所述第一开关管为增强型NMOS，则，所述第一开关管的第一端为栅极，所述第一开关管的第二端为源极，所述第一开关管的第三端为漏极；

所述第二开关管为增强型NMOS，则，所述第二开关管的第一端为栅极，所述第二开关管的第二端为源极，所述第二开关管的第三端为漏极；

所述第三开关管为增强型NMOS，则，所述第三开关管的第一端为栅极，所述第三开关管的第二端为源极，所述第三开关管的第三端为漏极。

3.根据权利要求1所述的开关管单元，其特征在于，

所述第一开关管为三极管，则，所述第一开关管的第一端为基极，所述第一开关管的第二端为发射极，所述第一开关管的第三端为集电极；

所述第二开关管为三极管，则，所述第二开关管的第一端为基极，所述第二开关管的第二端为发射极，所述第二开关管的第三端为集电极；

所述第三开关管为三极管，则，所述第三开关管的第一端为基极，所述第三开关管的第二端为发射极，所述第三开关管的第三端为集电极。

4.根据权利要求1所述的开关管单元，其特征在于，

所述第一开关管为IGBT，则，所述第一开关管的第一端为栅极，所述第一开关管的第二端为发射极，所述第一开关管的第三端为集电极；

所述第二开关管为IGBT，则，所述第二开关管的第一端为栅极，所述第二开关管的第二端为发射极，所述第二开关管的第三端为集电极；

所述第三开关管为IGBT，则，所述第三开关管的第一端为栅极，所述第三开关管的第二端为发射极，所述第三开关管的第三端为集电极。

5.根据权利要求1至4任一项所述的开关管单元，其特征在于，所述第三开关管为管理型的长开长断慢管。

6.一种拓扑结构，其特征在于，包括如权利要求1至5任一项所述的开关管单元。

7.根据权利要求6所述的拓扑结构，其特征在于，还包括控制芯片；其中，

所述控制芯片的第一Gate端与所述第一开关管的第一端连接；

所述控制芯片的第二Gate端与所述第二开关管的第一端连接；

所述控制芯片的第三Gate端与所述第三开关管的第一端连接。

8.根据权利要求7所述的拓扑结构，其特征在于，还包括第一电阻、第二电阻、极性电容以及变压器；其中，

所述第一电阻的一端与所述控制芯片的电压输入端连接，所述第一电阻的另一端与所述变压器的第一端连接；

所述第二电阻的一端与所述第一电阻的一端连接，所述第二电阻的第二端接地；

所述极性电容的正极与所述变压器的第一端连接，所述极性电容的负极接地；

所述变压器的第二端与所述第三开关管的第三端连接。