[实用新型]半导体静电放电保护装置有效

专利信息
申请号: 202022919297.5 申请日: 2020-12-08
公开(公告)号: CN214043656U 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 何淑英 申请(专利权)人: 何淑英
主分类号: H01L23/60 分类号: H01L23/60;H01L23/00;H01L23/34
代理公司: 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 代理人: 邱冬新
地址: 518000 广东省深圳市龙华*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 半导体 静电 放电 保护装置
【权利要求书】:

1.半导体静电放电保护装置,包括底座(1)、半导体本体(2)和壳体(3),其特征在于:所述底座(1)上设置有安装槽(4),所述安装槽(4)一侧设置有第一减震装置(5),所述第一减震装置(5)包括限位柱(6)、挡板(7)、和第一弹簧(8),所述底座(1)上设置有滑道(9),所述限位柱(6)一端与所述滑道(9)连接,所述限位柱(6)另一端与所述挡板(7)连接,所述挡板(7)与所述限位柱(6)之间设置有所述第一弹簧(8),所述安装槽(4)内设置有引脚孔(10),所述引脚孔(10)内设置有第二弹簧(11),所述半导体本体(2)固定在所述安装槽(4)内,所述安装槽(4)另一侧设置有第二减震装置(12),所述半导体本体(2)设置在所述第一减震装置(5)和第二减装置之间,所述挡板(7)上固定有温度传感器(13),所述底座(1)两侧设置有卡扣(14),所述壳体(3)上设置有卡槽(15),所述卡扣(14)与所述卡槽(15)相匹配。

2.根据权利要求1所述的半导体静电放电保护装置,其特征在于:所述壳体(3)内设置有制冷片(16),所述制冷片(16)与所述温度传感器(13)连接。

3.根据权利要求1所述的半导体静电放电保护装置,其特征在于:所述第一减震装置(5)与所述第二减震装置(12)结构相同。

4.根据权利要求1所述的半导体静电放电保护装置,其特征在于:所述壳体(3)内设置有静电防护网填充层(17)。

5.根据权利要求1所述的半导体静电放电保护装置,其特征在于:所述限位柱(6)一端上固定有限位块(18),所述滑道(9)端部固定有凸块(19),所述限位块(18)与所述凸块(19)相匹配。

6.根据权利要求5所述的半导体静电放电保护装置,其特征在于:所述限位柱(6)、第一弹簧(8)、凸块(19)、限位块(18)、和滑道(9)设置为两组。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的半导体静电放电保护装置,其特征在于:所述挡板(7)上固定有绝缘垫(20),所述绝缘垫(20)材质为橡胶。

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