[实用新型]一种太阳能电池片

说明书

本实用新型公开了一种太阳能电池片。该太阳能电池片包括：P型硅片；P型轻掺杂层，其形成于所述P型硅片的正面上，所述P型硅片的局部上开设有槽，所述槽延伸至所述P型硅片的正面而使所述P型硅片的局部表面露出；P型重掺杂部，其形成于所述P型硅片的位于所述槽内的表面上；正面介质层，其形成于所述P型轻掺杂层上；正面电极，其形成于所述P型重掺杂部上；背面介质层，其形成于所述P型硅片的背面之上；及背面电极，其穿过所述背面介质层。本实用新型可以降低载流子的传输损耗，提升填充因子FF。

技术领域

本实用新型属于晶硅太阳能电池领域，涉及一种太阳能电池片。

背景技术

目前的晶硅太阳能电池片通常在硅基体的表面上通过扩散掺杂P等元素，进而形成用于和正面电极形成欧姆接触的扩散层。例如中国专利CN106158986A公开的一种晶体硅太阳能电池片及其制备方法，其中，硅基体向光面依次具有扩散层、减反射层，扩散层与硅基体接触。减反射层上设有多条贯穿减反射层并与扩散层接触的向光面电极副栅线。这种太阳能电池片中，填充因子较低，载流子传输损耗较大，影响电池片的光电转化效率。

实用新型内容

针对上述技术问题中的至少一个，本实用新型提供了一种太阳能电池片，其正面的填充因子较高，具有较高的光电转化效率。

为达到上述目的，本实用新型采用的一种技术方案如下：

一种太阳能电池片，包括：

P型硅片；

P型轻掺杂层，其形成于所述P型硅片的正面上，所述P型硅片的局部上开设有槽，所述槽延伸至所述P型硅片的正面而使所述P型硅片的局部表面露出；

P型重掺杂部，其形成于所述P型硅片的位于所述槽内的表面上；

正面介质层，其形成于所述P型轻掺杂层上；

正面电极，其形成于所述P型重掺杂部上；

背面介质层，其形成于所述P型硅片的背面之上；及

背面电极，其穿过所述背面介质层。

在一实施例中，所述P型重掺杂部的宽度40～200um。此宽度大于正面电极的宽度。

在一实施例中，所述正面电极穿透所述正面介质层与所述P型重掺杂部形成欧姆接触。

进一步地，所述正面电极宽度小于所述P型重掺杂部宽度。

在一实施例中，所述太阳能电池片还包括形成于所述P型硅片的背面上的隧穿氧化层及形成于所述隧穿氧化层上的N型晶硅薄层，所述背面介质层形成于所述N型晶硅薄层上，所述背面电极穿过所述背面介质层而和所述N型晶硅薄层接触。

在一实施例中，所述隧穿氧化层的厚度为1～2nm。此处隧穿氧化层为超薄隧穿氧化层。

在一实施例中，所述背面介质层为氮化硅层、氧化铝层、氧化硅层、氮氧化硅层。

在一实施例中，所述背面电极穿透所述背面介质层与所述N型晶硅薄层接触。

在一实施例中，所述P型轻掺杂层的方阻为150Ω/sq以上，暗复合电流J_0e10fA/cm²。

在一实施例中，所述正面介质层为氮化硅层、氧化铝层、氧化硅层、氮氧化硅层。

本实用新型采用以上方案，相比现有技术具有如下优点：