[实用新型]一种太阳能电池片有效
| 申请号： | 202022912771.1 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN214254436U | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 张树德;魏青竹;刘玉申;况亚伟;赵保星;缪乾;符欣;连维飞;倪志春 | 申请（专利权）人： | 苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 李萍 |
| 地址： | 215500 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 | ||
1.一种太阳能电池片，其特征在于，所述太阳能电池片包括：
P型硅片；
P型轻掺杂层，其形成于所述P型硅片的正面上，所述P型硅片的局部上开设有槽，所述槽延伸至所述P型硅片的正面而使所述P型硅片的局部表面露出；
P型重掺杂部，其形成于所述P型硅片的位于所述槽内的表面上；
正面介质层，其形成于所述P型轻掺杂层上；
正面电极，其形成于所述P型重掺杂部上；
背面介质层，其形成于所述P型硅片的背面之上；及
背面电极，其穿过所述背面介质层。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于：所述P型重掺杂部的宽度40~200um。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池片，其特征在于：所述正面电极穿透所述正面介质层与所述P型重掺杂部形成欧姆接触。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池片，其特征在于：所述正面电极宽度小于所述P型重掺杂部宽度。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于：所述太阳能电池片还包括形成于所述P型硅片的背面上的隧穿氧化层及形成于所述隧穿氧化层上的N型晶硅薄层，所述背面介质层形成于所述N型晶硅薄层上，所述背面电极穿过所述背面介质层而和所述N型晶硅薄层接触。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池片，其特征在于：所述隧穿氧化层的厚度为1~2nm。
7.根据权利要求5所述的太阳能电池片，其特征在于：所述背面介质层为氮化硅层、氧化铝层、氧化硅层、氮氧化硅层。
8.根据权利要求5所述的太阳能电池片，其特征在于：所述背面电极穿透所述背面介质层与所述N型晶硅薄层接触。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于：所述P型轻掺杂层的方阻为150Ω/sq以上，暗复合电流J0e10fA/cm2。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于：所述正面介质层为氮化硅层、氧化铝层、氧化硅层、氮氧化硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
