[实用新型]功率模组及水冷功率设备

说明书

本实用新型提供一种功率模组及水冷功率设备，涉及功率模组结构技术领域，为解决现有技术中存在IGBT功率模组采用风冷方式进行散热，风冷装置体积较大，导致IGBT功率模组内部出现空间利用率较低的技术问题而设计。本实用新型提供的功率模组，包括：机壳、第一IGBT器件、第二IGBT器件、第一输出端子、第二输出端子、储能电容以及水冷组件；第一IGBT器件、第二IGBT器件、第一输出端子、第二输出端子、储能电容以及水冷组件均安装于机壳，水冷组件包括冷却板，冷却板与第一IGBT器件和第二IGBT器件均抵接；第一IGBT器件与第一输出端子电气连接，第二IGBT器件与第二输出端子电气连接，第一IGBT器件和第二IGBT器件均与储能电容电气连接。

技术领域

本实用新型涉及功率模组结构技术领域，尤其是涉及一种功率模组及水冷功率设备。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离，具有出色的器件性能。广泛应用于伺服电机，变频器，变频家电等领域。IGBT功率模块是电压型控制，具有输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。

由于IGBT变流器工作过程要产生功率损耗即内损耗，内损耗引起发热，温度上升，IGBT温度高低与器件内损耗大小、芯片到环境的传热结构、材料和器件冷却方式以及环境温度等有关。现有技术中，通常利用风冷的方式对IGBT进行散热，以保证IGBT达到稳态温度，保证其正常运行。

而现有技术中存在IGBT功率模组采用风冷方式进行散热，风冷装置体积较大，导致IGBT功率模组内部出现空间利用率较低的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种功率模组及水冷功率设备，以解决现有技术中存在IGBT功率模组采用风冷方式进行散热，风冷装置体积较大，导致IGBT功率模组内部出现空间利用率较低的技术问题。

本实用新型提供的功率模组，包括：机壳、第一IGBT器件、第二IGBT器件、第一输出端子、第二输出端子、储能电容以及水冷组件；

所述第一IGBT器件、所述第二IGBT器件、所述第一输出端子、所述第二输出端子、所述储能电容以及所述水冷组件均安装于所述机壳，所述水冷组件包括冷却板，所述冷却板与所述第一IGBT器件和所述第二IGBT器件均抵接；

所述第一IGBT器件与所述第一输出端子电气连接，所述第二IGBT器件与所述第二输出端子电气连接，所述第一IGBT器件和所述第二IGBT器件均与所述储能电容电气连接。

进一步地，所述功率模组还包括第一叠层母排、绝缘层以及第二叠层母排；

所述储能电容具有第一连接端子和第二连接端子；所述第一IGBT器件具有第三连接端子和第四连接端子，所述第二IGBT器件具有第五连接端子和第六连接端子；

所述第一叠层母排、所述绝缘层以及所述第二叠层母排依次叠放设置，所述第一连接端子通过所述第一叠层母排与所述第三连接端子电气连接，所述第二连接端子通过所述第二叠层母排与所述第四连接端子电气连接；所述第一连接端子通过所述第一叠层母排与所述第五连接端子电气连接，所述第二连接端子通过所述第二叠层母排与所述第六连接端子电气连接。

进一步地，所述功率模组包括的所述储能电容的数量为多个，多个所述储能电容呈线性阵列地排布于所述机壳；

所述第一叠层母排和所述第二叠层母排均为板状结构；多个所述储能电容的多个所述第一连接端子均与所述第一叠层母排电气连接；多个所述储能电容的多个所述第二连接端子均与所述第二叠层母排电气连接。

进一步地，所述第一叠层母排开设有第一避位孔，所述第一避位孔与所述第二连接端子的位置相对应；