[实用新型]一种薄膜太阳能电池生产用蚀刻装置有效
| 申请号: | 202022831657.6 | 申请日: | 2021-04-30 |
| 公开(公告)号: | CN213519863U | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
| 发明(设计)人: | 刘锋;朱凯;李旭倩 | 申请(专利权)人: | 南京正春电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/67;H01L31/18;B01D35/02;B01D29/11;B01D29/31 |
| 代理公司: | 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341 | 代理人: | 沈振涛 |
| 地址: | 210000 江苏省南京市迈皋*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳能电池 生产 蚀刻 装置 | ||
本实用新型公开了一种薄膜太阳能电池生产用蚀刻装置,包括装置主体,所述装置主体的上端设置有蚀刻槽,所述蚀刻槽的一侧外表面设置有过滤管,所述过滤管的内部设置过滤网,所述过滤管的外表面设置有螺纹连接管,所述蚀刻槽的一侧外表面设置有螺纹孔,所述过滤管的一端设置有导流管,所述导流管的外表面设置有旋转螺纹,所述蚀刻槽的上端外表面设置有防护盖,所述防护盖的外表面设置有连接块,所述连接块的外表面设置有橡胶层,所述蚀刻槽与防护盖之间设置有合页。本实用新型所述的一种薄膜太阳能电池生产用蚀刻装置,对废液进行过滤,避免废液中的杂物造成管道结垢、堵塞,对蚀刻槽进行防护,防止蚀刻时蚀刻液溅出。
技术领域
本实用新型涉及蚀刻装置领域,特别涉及一种薄膜太阳能电池生产用蚀刻装置。
背景技术
蚀刻又称为光化学蚀刻,是把材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术,可分为湿蚀刻和干蚀刻两种类型,在太阳能电池板生产过程中,蚀刻是不可缺少的技术,蚀刻装置具有效率高、蚀刻效果好、使用方便的优点;现有薄膜太阳能电池生产用蚀刻装置在使用时存在一定的弊端,首先,在进行蚀刻时残留下来的蚀刻液中含有部分杂质,在进入废液槽内部时会造成管道内壁结垢,甚至堵塞,其次,在对太阳能板进行蚀刻的过程中,会有一定的蚀刻液从蚀刻槽内溅出,造成浪费,以及对环境造成污染,为此,我们提出一种薄膜太阳能电池生产用蚀刻装置。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提供一种薄膜太阳能电池生产用蚀刻装置,可以有效解决背景技术中的问题。
为实现上述目的,本实用新型采取的技术方案为:
一种薄膜太阳能电池生产用蚀刻装置,包括装置主体,所述装置主体的上端设置有蚀刻槽,所述蚀刻槽的一侧外表面设置有过滤管,所述过滤管的内部设置过滤网,所述过滤管的外表面设置有螺纹连接管,所述蚀刻槽的一侧外表面设置有螺纹孔,所述过滤管的一端设置有导流管,所述导流管的外表面设置有旋转螺纹,所述蚀刻槽的上端外表面设置有防护盖,所述防护盖的外表面设置有连接块,所述连接块的外表面设置有橡胶层,所述蚀刻槽与防护盖之间设置有合页,所述导流管的一端设置有转接管,所述蚀刻槽的内部设置有喷淋管。
优选的,所述装置主体的前端外表面设置有进料口,所述装置主体的一侧设置有蚀刻液槽,所述蚀刻液槽的内部设置有固定板,所述固定板的外表面设置有输液管,所述蚀刻槽的一侧外表面设置有涡轮结构,所述装置主体的下端设置有支撑腿,所述装置主体的一侧设置有废液槽。
通过采用上述技术方案,可达到如下技术效果:废液用于将蚀刻过程中产生的废液进行收集。
优选的,所述螺纹连接管与螺纹孔相匹配,所述螺纹连接管与过滤管之间为固定连接,所述过滤管与过滤网之间为固定连接,所述导流管与过滤管相匹配,所述过滤管、螺纹连接管、导流管均为合金材质制成,所述过滤管的外表面设置有橡胶垫。
通过采用上述技术方案,可达到如下技术效果:便于将流入废液槽内的废液进行过滤,避免杂物造成管道堵塞。
优选的,所述连接块与蚀刻槽相匹配,所述连接块与橡胶层之间为活动连接,所述连接块与防护盖之间为固定连接,所述防护盖、连接块均为玻璃材质制成,所述合页与蚀刻槽、防护盖之间均为活动连接,所述防护盖与蚀刻槽之间为活动连接。
通过采用上述技术方案,可达到如下技术效果:对蚀刻槽进行防护,防止蚀刻液溅出,减少浪费,避免造成污染。
优选的,所述导流管与转接管之间为活动连接,所述蚀刻槽与喷淋管、涡轮结构之间均为活动连接,所述涡轮结构与输液管之间为活动连接,所述固定板与蚀刻液槽之间为固定连接。
通过采用上述技术方案,可达到如下技术效果:部分部件之间为活动连接,便于安装和拆卸。
优选的,所述支撑腿的数量为若干组,所述支撑腿位于装置主体的下端外面呈阵列排布,所述装置主体与支撑腿之间为固定连接,所述支撑腿为合金材质制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





