[实用新型]沟槽功率半导体器件

权利要求书

1.一种沟槽功率半导体器件，包括漏极金属（1）、半导体基板与第一类沟槽（4）、第一类导电多晶硅（5）、第一类栅氧化层（6）、第二导电类型体区（7）、第一导电类型源区（8）、第二类绝缘介质层（9）、第一类绝缘介质层（10）、第二导电类型阱区（11）、源极金属（12）、金属场板（13）、第二类沟槽（14）、第二类导电多晶硅（15）与第二类栅氧化层（16）；

所述半导体基板设置在漏极金属（1）的上面，半导体基板被划分为元胞区（001）和终端保护区（002），元胞区（001）位于半导体基板的中心区，终端保护区（002）位于元胞区（001）的外圈且环绕元胞区（001）；所述半导体基板包括第一导电类型衬底（2）和位于第一导电类型衬底（2）上的第一导电类型外延层（3）；

其特征是：在第一导电类型外延层（3）上设有第二导电类型体区（7）与第二导电类型阱区（11），第二导电类型体区（7）完全覆盖位于元胞区（001）内的第一导电类型外延层（3），第二导电类型阱区（11）完全或者部分覆盖位于终端保护区（002）内的第一导电类型外延层（3），在第二导电类型体区（7）内设有第一导电类型源区（8），在第二导电类型阱区（11）上设有第一类绝缘介质层（10）；

在第一导电类型源区（8）的上表面向下开设有第一类沟槽（4），第一类沟槽（4）向下穿透第一导电类型源区（8）与第二导电类型体区（7）并最终伸入第一导电类型外延层（3）内，在第一类沟槽（4）侧壁和底壁均形成有第一类栅氧化层（6），在第一类栅氧化层（6）内设有第一类导电多晶硅（5）；

在第二导电类型阱区（11）的上表面向下开设有第二类沟槽（14），第二类沟槽（14）向下穿透第二导电类型阱区（11）并最终伸入第一导电类型外延层（3）内，在第二类沟槽（14）侧壁和底壁均设有第二类栅氧化层（16），在第二类栅氧化层（16）内设有第二类导电多晶硅（15）；

在第一导电类型源区（8）与第一类绝缘介质层（10）上设有第二类绝缘介质层（9），在第二类绝缘介质层（9）上设有源极金属（12）与金属场板（13），源极金属（12）不仅完全覆盖位于元胞区（001）内的第二类绝缘介质层（9）而且部分延伸到终端保护区（002）内并覆盖靠近元胞区（001）的第二类绝缘介质层（9），源极金属（12）通过通孔与第一导电类型源区（8）及第二导电类型体区（7）欧姆接触，金属场板（13）完全位于终端保护区（002）内，且金属场板（13）至少覆盖一根第二类沟槽（14），金属场板（13）连接源极电位或栅极电位。

2.根据权利要求1所述的沟槽功率半导体器件，其特征是：所述第二导电类型体区（7）不仅完全覆盖位于元胞区（001）内的第一导电类型外延层（3）而且第二导电类型体区（7）部分延伸到终端保护区（002）内并覆盖靠近元胞区（001）的第一导电类型外延层（3），在位于元胞区（001）内的第二导电类型体区（7）上设有第一导电类型源区（8），所述第二导电类型阱区（11）覆盖第二导电类型体区（7）外侧的第一导电类型外延层（3），第一类绝缘介质层（10）不仅完全覆盖第二导电类型阱区（11）而且覆盖位于终端保护区（002）内的第二导电类型体区（7）的边缘部分，在第一导电类型源区（8）、位于终端保护区（002）内的第二导电类型体区（7）的非边缘部分与第一类绝缘介质层（10）上设有第二类绝缘介质层（9），源极金属（12）通过第二类绝缘介质层（9）内的通孔与延伸至终端保护区（002）内的第二导电类型体区（7）欧姆接触。