[实用新型]晶圆背面清洗装置有效
申请号: | 202022807121.0 | 申请日: | 2020-11-27 |
公开(公告)号: | CN214099590U | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 许忠晖;王东铭;陈嘉勇;杨昱霖 | 申请(专利权)人: | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李宁 |
地址: | 250101 山东省济南市*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背面 清洗 装置 | ||
1.一种晶圆背面清洗装置,包括清洗室(1),其特征在于,所述清洗室(1)内设置有一旋转件(6),所述旋转件(6)的中部为能够全部露出晶圆(5)背部的待清洗区域的镂空部,所述旋转件(6)的上表面设置有用于承托并夹紧晶圆(5)边缘的卡盘销(3);
所述旋转件(6)的下方至少设置有一组间隔分布且用于喷射清洗剂的喷嘴(4),同一组所述喷嘴(4)的连线在所述晶圆(5)背部的投影过所述晶圆(5)的旋转中心,且所述投影至少有一端抵达所述晶圆(5)背部的待清洗区域的边缘。
2.根据权利要求1所述的晶圆背面清洗装置,其特征在于,同一组所述喷嘴(4)的连线为直线。
3.根据权利要求1所述的晶圆背面清洗装置,其特征在于,所述旋转件(6)的下方还固定设置有一安装盘(2),所述喷嘴(4)固定设置在所述安装盘(2)上。
4.根据权利要求3所述的晶圆背面清洗装置,其特征在于,所述安装盘(2)呈圆形,且所述安装盘(2)的圆心与所述晶圆(5)的旋转中心位于同一铅垂线上,同一组所述喷嘴(4)沿所述安装盘(2)的径向分布。
5.根据权利要求4所述的晶圆背面清洗装置,其特征在于,所述安装盘(2)上设置有多组所述喷嘴(4)。
6.根据权利要求4所述的晶圆背面清洗装置,其特征在于,所述旋转件(6)为与所述安装盘(2)同心设置的旋转圆环,且所述安装盘(2)嵌设于所述旋转圆环的镂空部内。
7.根据权利要求3所述的晶圆背面清洗装置,其特征在于,所述旋转件(6)的下方设置有一支撑柱(8),所述安装盘(2)固定安装于所述支撑柱(8)的顶部;所述支撑柱(8)内设置有用于为所述喷嘴(4)提供清洗剂的供液管路(9)。
8.根据权利要求7所述的晶圆背面清洗装置,其特征在于,所述卡盘销(3)包括多个,且所述卡盘销(3)沿圆周方向间隔分布,相邻两个所述卡盘销(3)之间的间隔称为销间隔,所述支撑柱(8)的外壁与所述清洗室(1)的内壁之间的间隔构成壁间隔,所述销间隔与所述壁间隔共同构成用于排出清洗剂的废液排出通道(10)。
9.根据权利要求1所述的晶圆背面清洗装置,其特征在于,所述旋转件(6)的上方还设置有清洗罩,所述清洗罩上设置有供大气进入所述清洗室的开口(7)。
10.根据权利要求1所述的晶圆背面清洗装置,其特征在于,所述喷嘴(4)由聚四氟乙烯制造而成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造