[实用新型]一种体声波谐振器和滤波器以及电子设备

说明书

本实用新型公开了一种体声波谐振器和滤波器以及电子设备，该体声波谐振器具有较小的连接电阻，采用这种体声波谐振器组成的滤波器，相应降低了插入损耗。该体声波谐振器包括衬底、衬底上的声反射单元，以及该声反射单元上的压电堆叠结构。上电极连接有用于降低连接电阻的导电层，并且/或者，下电极连接有用于降低连接电阻的导电层；在上电极的连接侧，压电层的端面被上电极和导电层构成的整体所封挡，并且/或者，在下电极的连接侧，压电层的端面被下电极和导电层构成的整体所封挡。

技术领域

本实用新型涉及滤波器技术领域，特别地涉及一种体声波谐振器和滤波器以及电子设备。

背景技术

体声波谐振器是构成体声波滤波器的基本单元，其基本结构包含一层压电膜、夹持压电膜的底电极和顶电极，构成压电堆叠结构；另包含位于底电极下方的声反射单元。声反射单元、底电极、顶电极以及压电膜之间的重叠区域，形成了体声波谐振器工作的有效区。当在电极之间施加射频信号时，压电膜因逆压电效应会产生振动，产生声波，声波在垂直于电极表面的方向传播，并且在上下界面处发生反射。

随着5G的运行，移动通信数据传输速度越来越快，而频谱资源越来越拥挤。这一方面要求滤波器需要有更宽的带宽，另一方面，需要滤波器具有更好的滚降特性、更低的插入损耗。而体声波滤波器的工作频率与薄膜的厚度成反比，因此在高频下，体声波滤波器的电极会越来越薄，电极变薄会导致连接电阻变大，从而影响体声波滤波器的插入损耗，因此，降低体声波滤波器的连接电阻具有重要意义。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型主要目的是提出一种体声波谐振器和滤波器以及电子设备，该体声波谐振器其具有较小的连接电阻，采用这种体声波谐振器组成的滤波器，相应降低了插入损耗。

本实用新型提供如下技术方案：

一种体声波谐振器，包括衬底、衬底上的声反射单元，以及该声反射单元上的压电堆叠结构，上电极连接有用于降低连接电阻的导电层，并且 /或者，下电极连接有用于降低连接电阻的导电层；在上电极的连接侧，压电层的端面被上电极和导电层构成的整体所封挡，并且/或者，在下电极的连接侧，压电层的端面被下电极和导电层构成的整体所封挡。

可以将压电层的边缘刻蚀去一部分，使压电层区域退缩，使其端面被封挡在其他层所占区域之内从而不泄漏声波。

可选地，与上电极连接的导电层，位于上电极之上。例如图4所示。

可选地，与上电极连接的导电层和/或上电极，连接至谐振器外部。如图3至图5所示，对于图中所示的单个谐振器来说，上电极及其连接的导电层具有齐平的端面(图中为截面图，端面即为图右端竖直线条)，此时如与外部连接，例如与另一谐振器连接，则导电层和上电极可同时参与连接。另如图6所示，上电极能够连接至外部，而上电极所连接的导电层被介质层封挡，不能直接连接至外部。而图7所示情形则为上电极被导电层封挡，由导电层直接连接至外部。

可选地，与下电极连接的导电层和/或下电极，连接至谐振器外部。如图4所示，与下电极连接的导电层能与外部连接，下电极被封挡在内，而图5反之，图6则是二者可同时连接至外部。

可选地，该体声波谐振器具备以下一项或多项：与下电极连接的导电层的边缘与压电层的水平最小距离为0.5至50微米；在下电极的连接边的一侧，上电极边缘与压电层的边缘的水平距离为0.5至50微米；在上电极连接边的一侧，与上电极连接的导电层边缘与下电极边缘的水平最小距离为0.5至50微米。

可选地，上电极具有凸起层，并且/或者，上电极与压电层之间具有空气隙。

可选地，所述凸起层为环状，并且/或者，所述空气隙为环状；该空气隙与上电极的非连接边的全部或部分具有共面的外侧面，空气隙的宽度小于该凸起层的宽度，使该凸起层和压电层之间存在环状的接触面。

可选地，与上电极连接的导电层的内侧边缘，到位于上电极连接边一侧的所述凸起层的边缘的距离为0.5至50微米。