[实用新型]一种体声波谐振器和滤波器以及电子设备

权利要求书

1.一种体声波谐振器，包括衬底、衬底上的声反射单元，以及该声反射单元上的压电堆叠结构，其特征在于，

上电极连接有用于降低连接电阻的导电层，并且/或者，下电极连接有用于降低连接电阻的导电层；

在上电极的连接侧，压电层的端面被上电极和导电层构成的整体所封挡，并且/或者，在下电极的连接侧，压电层的端面被下电极和导电层构成的整体所封挡。

2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，与上电极连接的导电层，位于上电极之上。

3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，具备以下一项或多项：

与下电极连接的导电层的边缘与压电层的水平最小距离为0.5至50微米；

在下电极的连接边的一侧，上电极边缘与压电层的边缘的水平距离为0.5至50微米；

在上电极连接边的一侧，与上电极连接的导电层边缘与下电极边缘的水平最小距离为0.5至50微米。

4.根据权利要求1、2或3所述的体声波谐振器，其特征在于，上电极具有凸起层，并且/或者，上电极与压电层之间具有空气隙。

5.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其特征在于，

所述凸起层为环状，并且/或者，所述空气隙为环状；

该空气隙与上电极的非连接边的全部或部分具有共面的外侧面，空气隙的宽度小于该凸起层的宽度，使该凸起层和压电层之间存在环状的接触面。

6.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其特征在于，与上电极连接的导电层的内侧边缘，到位于上电极连接边一侧的所述凸起层的边缘的距离为0.5至50微米。

7.根据权利要求1、2或3所述的体声波谐振器，其特征在于，与下电极连接的导电层分为上导电层和下导电层。

8.根据权利要求7所述的体声波谐振器，其特征在于，上导电层和下导电层的内边缘均位于压电层边缘以内。

9.根据权利要求7所述的体声波谐振器，其特征在于，具备以下一项或多项：

上导电层内边缘与压电层边缘的水平距离为0.5至50微米；

上导电层内边缘与下导电层内边缘的水平距离为0.5至50微米；

下导电层内边缘与上电极边缘的水平距离为0.5至50微米。

10.根据权利要求7所述的体声波谐振器，其特征在于，

下导电层内边缘与上电极边缘的水平距离为10至50微米；

并且/或者，

上导电层内边缘与上电极边缘的水平距离为10至50微米。

11.根据权利要求1、2或3所述的体声波谐振器，其特征在于，上电极上方具有介质层。

12.根据权利要求1、2或3所述的体声波谐振器，其特征在于，与上电极连接的导电层位于上电极的连接边，以及位于上电极非连接边的边缘的部分或全部。

13.一种滤波器，其特征在于，包含多个根据权利要求1至12所述的体声波谐振器。

14.一种电子设备，其特征在于，包含多个根据权利要求1至12所述的体声波谐振器，或包含权利要求13所述的滤波器。