[实用新型]芯片封装结构及存储器

权利要求书

1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括PCB基板和位于所述PCB基板上且从下至上依次设置的DRAM芯片晶圆组、FOW层及FLASH芯片晶圆组，其中，

所述DRAM芯片晶圆组包括从下至上依次错位堆叠的第一DRAM芯片晶圆、第二DRAM芯片晶圆、第三DRAM芯片晶圆和第四DRAM芯片晶圆，所述FLASH芯片晶圆组包括从下至上错位堆叠的第一FLASH芯片晶圆和第二FLASH芯片晶圆，各相邻DRAM芯片晶圆以及各相邻FLASH芯片晶圆之间设有第一垫层；

所述FOW层与所述DRAM芯片晶圆组错位设置以构成位于所述FOW层与PCB基板之间的悬空区域，所述悬空区域内设置有位于所述PCB基板上、用于支撑所述FOW层的垫片。

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，各DRAM芯片晶圆的上表面设有若干显露于其错位位置处的第一端口，所述第二DRAM芯片晶圆与所述第一DRAM芯片晶圆以及所述第三DRAM芯片晶圆与所述第二DRAM芯片晶圆的错位方向为第一方向，所述第四DRAM芯片晶圆与所述第三DRAM芯片晶圆的错位方向为与所述第一方向相反的第二方向，其中，

所述第二DRAM芯片晶圆与所述第一DRAM芯片晶圆的第一端口之间的错位距离为0.15mm～0.25mm，所述第三DRAM芯片晶圆与所述第二DRAM芯片晶圆的第一端口之间的错位距离为0.1mm～0.2mm，所述第四DRAM芯片晶圆与所述第三DRAM芯片晶圆的第一端口之间的错位距离为0.15mm～0.25mm。

3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，各FLASH芯片晶圆的上表面设有若干显露于其错位位置处的第二端口，所述第二FLASH芯片晶圆与所述第一FLASH芯片晶圆的错位方向为与所述第一方向和第二方向水平垂直的第三方向，其中，

所述第二FLASH芯片晶圆与所述第一FLASH芯片晶圆的第二端口之间的错位距离为0.2mm～0.3mm。

4.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一DRAM芯片晶圆背离所述垫片的侧边与所述PCB基板的边沿之间的距离为1mm～2mm，所述第四DRAM芯片晶圆背离所述垫片的侧边与所述FOW层的边沿之间的错位距离为0.2～0.3mm，所述垫片与所述PCB基板的边沿之间的距离为0.25mm～0.35mm。

5.根据权利要求4所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括设于所述PCB基板上的控制器，所述控制器位于所述DRAM芯片晶圆组的一侧且处于其非错位方向上，所述控制器与所述DRAM芯片晶圆组之间的间隔距离为0.15mm～0.25mm，所述DRAM芯片晶圆组背离所述控制器的侧边与所述PCB基板的边沿之间的距离为0.5mm～0.6mm。

6.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一DRAM芯片晶圆与所述PCB基板之间设有第二垫层，所述第一垫层和第二垫层的高度为10μm～20μm。

7.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述FOW层的高度为50μm～70μm。

8.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述垫片为间隔设置的若干个。

9.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述PCB基板的上表面设有金手指接口，所述PCB基板的下表面设有若干个锡球。

10.一种存储器，其特征在于，包括主板和权利要求1-9任意一项所述的芯片封装结构，所述芯片封装结构设置在所述主板上。