[实用新型]一种硅片曝光结构

说明书

本实用新型公开了一种硅片曝光结构，包括定位组件、曝光组件，所述定位组件包括定位条组、紧固螺丝组，所述曝光组件包括蓝膜、上层光刻版、下层光刻版、硅片，在运载硅片过程中，使用定位组件定位下层光刻版与蓝膜位置，使用蓝膜定位固定硅片与托载的光刻版，通过蓝膜产生的固定间隙，将正性光刻胶曝光过程中释放的N₂有效排出，使表面压力达到平衡，因此，硅片下表面与光刻版之间无法在曝光过程中产生相对位移，保证了曝光过程中的工艺质量。

技术领域

本实用新型属于半导体制造领域，具体地，涉及一种硅片曝光结构。

背景技术

半导体芯片制造过程中，双面光刻工艺中，以放置式曝光设备为例，在正胶产品曝光过程中极容易产生图形漂移现象，即硅片在曝光过程中与下层光刻版产生相对位移，因此导致图形对准产生偏差，主要引起的原因是在曝光过程中，硅片与光刻版接触面，正性光刻胶由光解反应产生的N₂引起的表面压力不均以及硅片翘曲引起的间隙不稳定，都会对此过程的质量控制增加难度。目前对于双面曝光工艺条件及设备没有更加合适的代替方法，既保证双面图形的对准精度，同时又保证曝光间隙稳定，因此给大批量双面光刻工艺生产上造成了困难。

因此基于上述现有技术的缺陷，亟需一种硅片曝光结构，能够保证硅片在曝光过程中不会与光刻版之间产生相对位移。

实用新型内容

为克服上述现有技术的不足，本实用新型提供了一种硅片曝光结构，使得硅片与光刻版之间无法在曝光过程中产生相对位移。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

一种硅片曝光结构，所述结构包括定位组件、曝光组件，所述定位组件包括定位条组、紧固螺丝组、定位板，所述曝光组件包括蓝膜、上层光刻版、下层光刻版、硅片，所述硅片位于下层光刻版的上表面，且下层光刻版对应硅片四边的位置粘贴有一层蓝膜，所述上层光刻版位于硅片的正上方，并与下层光刻版相对应，所述定位条组包括四个定位条，所述每个定位条的两端各设有一个长条孔，所述紧固螺丝组包括八个紧固螺丝，所述四个定位条分别位于下层光刻版四边侧，并通过紧固螺丝穿过长条孔拧紧固定到定位板上，所述定位板位于下层光刻版的底部。

优选地，所述蓝膜为半导体行业专用蓝膜，其厚度选择根据实际曝光效果进行选择。

优选地，所述蓝膜的粘贴位置恰好位于定位条的下方，其外边界与定位条外边界重合。

本实用新型的有益效果为：

1.本实用新型通过定位组件定位光刻版与蓝膜位置，利用蓝膜的作用，解决曝光过程中，在硅片与光刻版接触面，正性光刻胶由光解反应产生的N₂引起的表面压力不均以及硅片翘曲引起的间隙不稳定现象，增大硅片曝光过程中的稳定性。

2.本实用新型结构简单，因为蓝膜的作用，通过蓝膜固有厚度建立硅片与下层光刻版之间的稳定曝光打印间隙，减少光刻胶损伤的风险。

附图说明

图1为本实用新型的连接结构的主视图；

图2为本实用新型的俯视图；

图3为实施例的示意图；

图中所示附图标记为：1-下层光刻版、2-上层光刻版、3-紧固螺丝、4-定位条、5-硅片、6-蓝膜、7-长条孔、8-定位板。

具体实施方式

以下结合附图对本设计方案进行详细说明。