[实用新型]半导体封装结构

说明书

本申请实施例是关于半导体封装结构。根据一实施例的半导体封装结构包括：第一裸片，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一类型导电柱，其位于第一裸片的第一表面上，第一类型导电柱包括连接到第一裸片的第一表面的第一部分和远离第一裸片的第一表面延伸的第二部分；及囊封体，其囊封第一裸片和第一类型导电柱；其中第一类型导电柱的第一部分和第二部分由实质上相同的材料组成，且第一部分的宽度大于第二部分的宽度。本申请实施例提供的半导体封装结构具有减小的尺寸和良好的散热性能，且具有制造成本低及生产效率高等诸多优点。

技术领域

本申请实施例涉及半导体领域，特别是涉及半导体封装结构。

背景技术

随着半导体技术的飞速发展，具有更小的占位面积(footprint)、更薄的封装尺寸、更好的散热性能及更低成本的半导体封装结构越来越受到市场的欢迎。特别是对于具有多个堆叠芯片的半导体封装结构，业界亟需找到一种技术方案，其可以通过简单高效且节约成本的方式来获得至少具有上述优点的半导体封装结构。

实用新型内容

本申请实施例的目的之一在于提供一种半导体封装结构，其具有减小的半导体封装结构尺寸和良好的散热性能。

根据本申请的一实施例提供的一种半导体封装结构，其包括：第一裸片，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第一类型导电柱，其位于所述第一裸片的第一表面上，所述第一类型导电柱包括连接到所述第一裸片的所述第一表面的第一部分和远离所述第一裸片的所述第一表面延伸的第二部分；及囊封体，其囊封所述第一裸片和所述第一类型导电柱；其中，所述第一类型导电柱的所述第一部分和所述第二部分由实质上相同的材料组成，且所述第一部分的宽度大于所述第二部分的宽度。

在本申请的一些实施例中，所述第一裸片的所述第二表面从所述囊封体暴露。

在本申请的一些实施例中，所述第一部分具有圆形横截面，且所述第二部分具有线形横截面。

在本申请的一些实施例中，所述第一部分的宽度为约20μm至80μm。

在本申请的一些实施例中，所述第二部分的宽度为约15μm至50μm。

在本申请的一些实施例中，所述第一类型导电柱的材料选自铜、金、铝、银或其组合。

在本申请的一些实施例中，所述半导体封装结构进一步包括第二裸片，其与所述第一裸片堆叠，所述第二裸片具有第三表面和与所述第三表面相对的第四表面；及第二类型导电柱，其位于所述第二裸片的第四表面上，所述第二类型导电柱包括连接到所述第二裸片的所述第四表面的第一部分和远离所述第二裸片的所述第四表面延伸的第二部分，其中，所述囊封体囊封所述第二裸片和所述第二类型导电柱，且所述第二类型导电柱的第二部分比所述第一类型导电柱的第二部分短。

在本申请的一些实施例中，所述第一类型导电柱的第二部分的端部、所述第二类型导电柱的第二部分的端部和所述囊封体的表面大体上是共面的。

在本申请的一些实施例中，所述半导体封装结构进一步包括堆叠在所述囊封体的表面上且通过所述第一类型导电柱和所述第二类型导电柱电连接所述第一裸片和所述第二裸片的布线层。

在本申请的一些实施例中，所述第一裸片的面积大于所述第二裸片的面积，且所述第一类型导电柱设置在没有被所述第二裸片占用的第一表面的部分上。

在本申请的一些实施例中，所述第一类型导电柱的面密度小于所述第二类型导电柱的面密度。

在本申请的一些实施例中，所述第一裸片是存储器，且所述第二裸片是处理器。

在本申请的一些实施例中，所述第一裸片和所述第二裸片以叠瓦方式堆叠，且所述第一类型导电柱设置在没有被所述第二裸片占用的第一表面的部分上。