[实用新型]半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，其包括：

第一裸片，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

第一类型导电柱，其位于所述第一裸片的第一表面上，所述第一类型导电柱包括连接到所述第一裸片的所述第一表面的第一部分和远离所述第一裸片的所述第一表面延伸的第二部分；及

囊封体，其囊封所述第一裸片和所述第一类型导电柱；

其中，所述第一类型导电柱的所述第一部分和所述第二部分由实质上相同的材料组成，且所述第一部分的宽度大于所述第二部分的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一裸片的所述第二表面从所述囊封体暴露。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一部分具有圆形横截面，且所述第二部分具有线形横截面。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一部分的宽度为20μm至80μm。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二部分的宽度为15μm至50μm。

6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一类型导电柱的材料选自铜、金、铝或银。

7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，其进一步包括：

第二裸片，其与所述第一裸片堆叠，所述第二裸片具有第三表面和与所述第三表面相对的第四表面；及

第二类型导电柱，其位于所述第二裸片的第四表面上，所述第二类型导电柱包括连接到所述第二裸片的所述第四表面的第一部分和远离所述第二裸片的所述第四表面延伸的第二部分，

其中，所述囊封体囊封所述第二裸片和所述第二类型导电柱，且所述第二类型导电柱的第二部分比所述第一类型导电柱的第二部分短。

8.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，其中所述第一类型导电柱的第二部分的端部、所述第二类型导电柱的第二部分的端部和所述囊封体的表面是共面的。

9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括堆叠在所述囊封体的表面上且通过所述第一类型导电柱和所述第二类型导电柱电连接所述第一裸片和所述第二裸片的布线层。

10.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，其中所述第一裸片的面积大于所述第二裸片的面积，且所述第一类型导电柱设置在没有被所述第二裸片占用的第一表面的部分上。

11.根据权利要求10所述的半导体封装结构，其特征在于，其中所述第一类型导电柱的面密度小于所述第二类型导电柱的面密度。

12.根据权利要求10所述的半导体封装结构，其特征在于，其中所述第一裸片是存储器，且所述第二裸片是处理器。

13.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，其中所述第一裸片和所述第二裸片以叠瓦方式堆叠，且所述第一类型导电柱设置在没有被所述第二裸片占用的第一表面的部分上。