[实用新型]一种半导体封装结构

说明书

本实用新型涉及功率半导体技术领域，公开了一种半导体封装结构，该半导体封装结构包括导线框架、芯片、金属桥、绝缘导热装置、散热片、基岛组以及塑封外壳；芯片位于导线框架一侧，金属桥第一端位于芯片背离导线框架的一侧，绝缘导热装置位于金属桥第一端背离芯片的一侧，散热片位于绝缘导热装置背离金属桥第一端的一侧，基岛组包括第一基岛，第一基岛与金属桥第二端电连接，塑封外壳包覆于导线框架、芯片、金属桥、绝缘导热装置、散热片以及基岛组外侧，且导线框架背离芯片的表面和散热片背离芯片的表面裸露于塑封外壳外侧。该半导体封装结构可以实现芯片上下双面散热的效果，能够提升半导体器件的散热能力。

技术领域

本实用新型涉及功率半导体技术领域，特别涉及一种半导体封装结构。

背景技术

目前，在功率半导体领域，器件的封装，有单管封装形式，也有集成的模块封装形式，在单管封装形式中，又包含了全包封形式的器件和半包封形式的器件，对发热量大的器件，一般采用半包封形式，因其具有更好的散热效果，对发热量小的器件，一般采用散热相对较差的全包封器件。

在半包封形式的单管器件中，以TO-3P封装为例，它采用的是单面铜框架裸露的散热方式，在工作的时候，需要再外接散热器，器件的散热能力尚需进一步提升。

实用新型内容

本实用新型提供了一种半导体封装结构，上述半导体封装结构可以实现芯片上下双面散热的效果，提升半导体器件的散热能力。

为达到上述目的，本实用新型提供以下技术方案：

一种半导体封装结构，包括导线框架、芯片、金属桥、绝缘导热装置、散热片、基岛组以及塑封外壳；

所述芯片位于所述导线框架一侧，所述金属桥第一端位于所述芯片背离所述导线框架的一侧，所述绝缘导热装置位于所述金属桥第一端背离所述芯片的一侧，所述散热片位于所述绝缘导热装置背离所述金属桥第一端的一侧，所述基岛组包括第一基岛，所述第一基岛与所述金属桥第二端电连接，所述塑封外壳包覆于所述导线框架、芯片、金属桥、绝缘导热装置、散热片以及所述基岛组外侧，且所述导线框架背离所述芯片的表面和所述散热片背离所述芯片的表面裸露于所述塑封外壳外侧。

本实用新型实施例提供的半导体封装结构中，芯片的一侧设置有导线框架，另一侧通过金属桥与第一基岛电连接，金属桥背离芯片的一侧设置有绝缘导热装置以及散热片，由于导线框架背离芯片的表面和散热片背离芯片的表面裸露于塑封外壳外侧，可以实现芯片上下双面散热的效果，芯片工作时产生的热量，可以通过上下双面的导线框架以及散热片进行散热，能够提升半导体器件的散热能力。

可选地，所述芯片与所述金属桥第一端通过第一结合材连接。

可选地，所述金属桥第一端朝向所述芯片的表面形成有与所述芯片相配合的一圈第一突角，所述芯片在所述第一突角围成的区域内与所述金属桥第一端连接。

可选地，所述金属桥第一端朝向所述绝缘导热装置的表面形成有与所述绝缘导热装置相配合的一圈第二突角，所述绝缘导热装置在所述第二突角围成的区域内与所述金属桥第一端连接。

可选地，所述芯片朝向所述金属桥第一端的一侧具有第一电极和第二电极，所述芯片朝向所述导线框架的一侧具有第三电极，所述第一电极与所述金属桥第一端朝向芯片的一侧电连接。

可选地，所述基岛组还包括第二基岛和第三基岛，所述第二电极与所述第二基岛电连接，所述第三电极与所述导线框架朝向所述芯片的一侧电连接，所述导线框架与所述第三基岛电连接。

可选地，所述第一基岛、第二基岛和第三基岛上分别具有第一引脚、第二引脚和第三引脚，所述第一引脚、第二引脚和第三引脚均裸露于所述塑封外壳的外侧。

可选地，所述金属桥为铜桥。

可选地，所述绝缘导热装置的材料为陶瓷材料。