[实用新型]一种解决晶圆背面氧化的等离子体去胶机的电极结构

说明书

本实用新型公开了一种解决晶圆背面氧化的等离子体去胶机的电极结构，包括下电极和边缘环，所述下电极呈圆形，并设有一上台阶，上台阶四周为下台阶，所述上台阶和下台阶上均设有凹槽，所述边缘环呈筒盖状，其上端面设有一晶圆放置槽，晶圆放置槽侧壁设为向中心倾斜的斜面，所述晶圆放置槽中部设有与下电极上台阶形状吻合的通孔，所述边缘环盖到下电极上，上台阶与晶圆放置槽底面相平。本实用新型与现有技术相比的优点是：本实用新型与传统去胶机的下电极相比，无论是下电极的正面还是侧边均被边缘环所或晶圆所遮挡，因此见到氧的概率急剧减少，进而规避了晶圆背面被氧化的概率。

技术领域

本实用新型涉及电极结构，尤其涉及一种解决晶圆背面氧化的等离子体去胶机的电极结构。

背景技术

真空等离子去胶/灰化设备主要由真空腔体、真空获得系统、气体输送系统、等离子发生系统与控制系统组成。

在现有技术中，真空等离子体去胶/灰化设备的下电极结构如图6、图7所示，其正面为一个平整的平面，表面有凹槽用于释放热胀冷缩导致的应力，同时有3个圆形的孔用于放置顶针用于晶圆的升举，另外在比晶圆直径略大的边缘有4个定位销用于给晶圆在进行工艺时进行限位。

针对这种设计晶圆直接落在加热下电极上，由于背面有凹槽，所以等离子体所产生的氧原子及氧的活性自由基会沿着凹槽与晶圆背面接触，进而在热的作用下将晶圆背面氧化。

因此，研发一种解决晶圆背面氧化的等离子体去胶机的电极结构，成为本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本实用新型是为了解决上述不足，本实用新型提供了一种解决晶圆背面氧化的等离子体去胶机的电极结构。该下电极结构设计将规避掉氧原子或氧活性自由基进入到晶圆背面，进而解决掉去胶工艺过程中晶圆背面氧化的问题。

本实用新型的上述目的通过以下的技术方案来实现：一种解决晶圆背面氧化的等离子体去胶机的电极结构，包括下电极和边缘环，所述下电极呈圆形，并设有一上台阶，上台阶四周为下台阶，所述上台阶和下台阶上均设有凹槽，所述边缘环呈筒盖状，其上端面设有一晶圆放置槽，晶圆放置槽侧壁设为向中心倾斜的斜面，所述晶圆放置槽中部设有与下电极上台阶形状吻合的通孔，所述边缘环盖到下电极上，上台阶与晶圆放置槽底面相平。

进一步地，所述上台阶和下台阶上的凹槽错位分布。

进一步地，所述下电极直径等于边缘环内部空间直径，使边缘环内壁与下电极侧壁相贴。

本实用新型的工作原理：该电极为台阶型的两层电极结构，而且在这两阶中凹槽位置错开。边缘环的轴向剖面为梯形结构，这样晶圆在下落过程中会通过斜面滑到下电极上，从而规避了限位销的使用。边缘环的梯形的下边平面与电极的上表面齐平，以遮蔽住上台阶的凹槽，因此，上台阶的凹槽在被晶圆盖住后接触到氧的概率急剧降低。而且，边缘环包裹整个下电极，使下电极下台阶的凹槽也无法接触到氧原子或氧自由基。

本实用新型与现有技术相比的优点是：本实用新型与传统去胶机的下电极相比，无论是下电极的正面还是侧边均被边缘环所或晶圆所遮挡，因此，见到氧的概率急剧减少，进而规避了晶圆背面被氧化的概率。具体地说：

1.双阶型的下电极，在两个下台阶的凹槽位置错开，防止氧沿着同一位置凹槽进行扩散；

2.边缘环与下电极的配合，边缘环一是起到遮蔽下电极上/下下台阶的凹槽，减少氧通过凹槽与晶圆背面接触的概率，同时可以起到限位的作用，让晶圆自动滑入下电极区域。

附图说明

图1是本实用新型的分解结构示意图（含晶圆）。

图2是本实用新型的整体结构示意图（含晶圆）。

图3是本实用新型的俯视结构示意图。

图4是本实用新型中下电极的俯视结构示意图。