[实用新型]一种输出驱动电路和输出驱动器

说明书

本实用新型公开了一种输出驱动电路和输出驱动器，输出驱动电路包括总线保持单元，包括至少两个首尾相接的反相器，形成输入保持信号；第一延迟单元，对输入保持信号进行延迟，输出第一延迟信号和第二延迟信号，其中第一反相器组中串联的反相器数量小于第二反相器组中串联的反相器数量，差值为奇数；锁存单元，对第一延迟信号和第二延迟信号进行锁存输出第一锁存信号和第二锁存信号；第二延迟单元，其中第四反相器组中串联的反相器数量小于第三反相器组中串联的反相器数量，差值为奇数；输出单元包括第一晶体管和第二晶体管。本实用新型提供的输出驱动电路可以同时实现对输入信号的断路保持和晶体管的错峰开启与关闭，避免了闩锁效应。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别是涉及一种输出驱动电路和输出驱动器。

背景技术

体硅CMOS是以硅衬底和在硅衬底上制作的阱分别作为基底制作NMOS和PMOS，然后组成互补对称结构，在半导体集成电路中应用广泛。然而，由于其互补对称结构，其存在闩锁效应。如图1和图2所示，CMOS结构中的固有寄生n-p-n-p结构，即寄生NPN晶体管(Q1)和PNP晶体管(Q2)，在空间单粒子的轰击下，衬底/阱中的寄生晶体管内会产生单粒子电流，由于器件内部存在寄生电阻(Rnw和Rsub)，当触发电流在寄生电阻上产生的压降达到寄生晶体管开启的压降时，寄生晶体管的发射结正偏导通，并产生足够大的集电极电流使另一个寄生晶体管也处于正向偏置导通，导致电源(VDD)和地(GND)之间出现大电流，形成正反馈电路，电流持续增大，这种骤然增大的电流会使CMOS器件无法正常工作甚至烧毁。

电压瞬变产生的过电应力及光照、辐射作用都是引发闩锁效应的外部原因，尤其辐射环境中，高能单粒子射线会辐射至CMOS器件的氧化层中，产生电子-空穴对，积累的能量导致CMOS器件中寄生的晶体管正向偏置导通，从而导致单粒子闩锁效应的发生，而一旦单粒子闩锁效应由于正反馈而持续放大，则输出驱动电路将会因过大的电流而烧毁。此外，现有技术的CMOS电路抗噪声能力差，一旦输入信号存在噪声，输出的驱动信号将存在错误。

实用新型内容

为了解决上述问题至少之一，本实用新型提供一种输出驱动电路，包括：

总线保持单元，包括至少一组首尾相接的反相器，用于对接入的输入信号进行电平保持，形成输入保持信号，

第一延迟单元，包括第一反相器组和第二反相器组，用于对输入保持信号进行延迟，输出第一延迟信号和第二延迟信号，其中，第一反相器组包括一个或多个串联连接的第一反相器，第二反相器组包括多个串联连接的第二反相器，其中第一反相器的数量小于第二反相器的数量且二者的差值为奇数，

锁存单元，包括SR锁存器，用于对第一延迟信号和第二延迟信号进行锁存，输出第一锁存信号和第二锁存信号，

第二延迟单元，包括第三反相器组和第四反相器组，分别用于对第一锁存信号和第二锁存信号进行延迟，生成第三延迟信号和第四延迟信号，其中第三反相器组包括多个串联连接的第三反相器，第四反相器组包括一个或多个串联连接的第四反相器，第四反相器的数量小于第三反相器的数量且二者的差值为奇数，

输出单元，包括第一晶体管和第二晶体管，用于基于第三延迟信号和第四延迟信号的控制产生输出驱动信号。

在一些可选的实施例中，输出单元包括第一输出驱动单元和第二输出驱动单元，第一输出驱动单元和第二输出驱动单元的第一端分别用于接入第三延迟信号和第四延迟信号，第二端分别用于接入第一电源信号和第二电源信号，第三端相互连接作为输出端，其中：

第一输出驱动单元包括N路并联连接的第一输出驱动子单元，每路第一输出驱动子单元包括串联连接的第五反相器组和第一晶体管，第n路第一输出驱动子单元中的第五反相器组具有串联连接的i_n个第五反相器；