[实用新型]一种利用半导体开关特性组成的二进制译码电路

权利要求书

1.一种利用半导体开关特性组成的二进制译码电路，其特征在于，包括开关管M1-M15，所述开关管M1的栅极连接使能端，所述开关管M1的源极与VCC连接，所述开关管M1的漏极分别与开关管M2的源极和开关管M3的源极连接，所述开关管M2的栅极分别与反相器U1的输出端和反相器U2的输入端连接，所述开关管M3的栅极与反相器U2的输出端连接，所述反相器U1的输入端连接地址线A0，所述开关管M2的漏极分别与开关管M4的源极和开关管M5的源极连接，所述开关管M3的漏极分别与开关管M6的源极和开关管M7的源极连接，所述开关管M4的栅极和开关管M6的栅极均分别与反相器U3的输出端和反相器U4的输入端连接，所述开关管M5的栅极和开关管M7的栅极均与反相器U4的输出端连接，所述反相器U3的输出端连接地址线A1，所述开关管M4的漏极分别与开关管M8的源极和开关管M9的源极连接，所述开关管M5的漏极分别与开关管M10的源极和开关管M11的源极连接，所述开关管M8的漏极分别与开关管M12的源极和开关管M13的源极连接，所述开关管M7的漏极分别与开关管M14的源极和开关管M15的源极连接，所述开关管M8的栅极、开关管M10的栅极、开关管M12的栅极和开关管M14的栅极均粉笔与反相器U5的输出端和反相器U6的输入端连接，所述开关管M9的栅极、开关管M11的栅极、开关管M13的栅极和开关管M15的栅极均与反相器U6的输出端连接，所述反相器U5的输入端连接地址线A2。

2.根据权利要求1所述的利用半导体开关特性组成的二进制译码电路，其特征在于，所述开关管M8的漏极连接输出端Y0，所述开关管M9的漏极连接输出端Y1，所述开关管M10的漏极连接输出端Y2，所述开关管M11的漏极连接输出端Y3，所述开关管M12的漏极连接输出端Y4，所述开关管M13的漏极连接输出端Y5，所述开关管M14的漏极连接输出端Y6，所述开关管M15的漏极连接输出端Y7。

3.根据权利要求1所述的利用半导体开关特性组成的二进制译码电路，其特征在于，所述开关管M1-M15均为NMOS管。

4.根据权利要求1所述的利用半导体开关特性组成的二进制译码电路，其特征在于，所述地址线A1、地址线A2和地址线A3的输入信号为0电平或1电平。

5.根据权利要求1所述的利用半导体开关特性组成的二进制译码电路，其特征在于，所述使能端的输入信号为0电平或1电平。

6.根据权利要求1所述的利用半导体开关特性组成的二进制译码电路，其特征在于，所述反相器U1、反相器U3和反相器U5均为输入驱动。