[实用新型]高频模块和通信装置

说明书

提供一种高频模块和通信装置。高频模块具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；半导体IC，其配置于第二主面，具有彼此相向的第三主面和第四主面；以及外部连接端子，其配置于第二主面，其中，第三主面被配置成与第二主面相向且比第四主面更靠近第二主面，半导体IC具有接收低噪声放大器以及形成于第四主面的地电极。

技术领域

本实用新型涉及一种高频模块和通信装置。

背景技术

随着多频段化和多模式化的进展，要求一种高密度地安装有多个高频部件的小型的高频模块。

在专利文献1中公开了一种电路部件内置模块，其具备多层电路基板、形成于该多层电路基板的一个主面的半导体元件(半导体IC)、以及配置于该一个主面的通路孔(外部连接端子)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-281160号公报

实用新型内容

实用新型要解决的问题

然而，在专利文献1所公开的电路部件内置模块中，在包括高频有源元件的半导体IC安装于多层电路基板的情况下，担心来自该半导体IC的高频噪声和用于控制该半导体IC的数字噪声流入到周边电路部件、或者来自该周边电路部件的噪声流入到半导体IC。为了减少这些高频噪声和数字噪声的影响，需要强化半导体IC中的电磁屏蔽性能。

本实用新型是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种包括高频有源元件的半导体IC的电磁屏蔽性能得到强化的小型的高频模块以及具备该高频模块的通信装置。

用于解决问题的方案

为了实现上述目的，本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；半导体IC，其配置于所述第二主面；以及外部连接端子，其配置于所述第二主面，其中，所述半导体IC具有彼此相向的第三主面和第四主面，所述第三主面被配置成与所述第二主面相向且比所述第四主面更靠近所述第二主面，所述半导体IC具有接收低噪声放大器以及形成于所述第四主面的第一地电极。

优选地，所述半导体集成电路还具有：第二地电极，其形成于所述第三主面；以及通路导体，其与所述第一地电极及所述第二地电极连接，形成于所述半导体集成电路内。

优选地，所述半导体集成电路还具有：第二地电极，其形成于所述第三主面；以及侧面电极，其与所述第一地电极及所述第二地电极连接，形成于所述半导体集成电路的侧面。

优选地，在俯视所述第四主面的情况下，所述第四主面为多边形，在所述第四主面形成有多个所述第一地电极，多个所述第一地电极中的一个第一地电极形成于包含所述第四主面的多个外边中的第一外边的第一外缘区域，多个所述第一地电极中的其它第一地电极形成于包含所述第四主面的多个外边中的与所述第一外边相向的第二外边的第二外缘区域。

优选地，在俯视所述第二主面的情况下，所述模块基板为多边形，在所述第二主面形成有多个所述外部连接端子，在所述模块基板的第三外缘区域和所述模块基板的第四外缘区域，没有形成多个所述外部连接端子，其中，所述第三外缘区域位于所述第一外边与所述第二主面的多个外边中的第三外边之间，所述第三外边与所述第一外边相向且最接近所述第一外边，所述第四外缘区域位于所述第二外边与所述第二主面的多个外边中的第四外边之间，所述第四外边与所述第二外边相向且最接近所述第二外边，在所述模块基板上的除所述第三外缘区域和所述第四外缘区域以外的外缘区域，形成有多个所述外部连接端子。

优选地，所述高频模块还具备配置于所述第一主面的发送功率放大器。