[实用新型]高频模块和通信装置有效

专利信息
申请号: 202022683840.6 申请日: 2020-11-18
公开(公告)号: CN213661616U 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 富田直秀 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H04B1/40 分类号: H04B1/40
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 高频 模块 通信 装置
【权利要求书】:

1.一种高频模块,其特征在于,具备:

模块基板,其具有彼此相向的第一主面和第二主面;

半导体集成电路,其配置于所述第二主面;以及

外部连接端子,其配置于所述第二主面,

其中,所述半导体集成电路具有彼此相向的第三主面和第四主面,

所述第三主面被配置成与所述第二主面相向且比所述第四主面更靠近所述第二主面,

所述半导体集成电路具有:

接收低噪声放大器;以及

形成于所述第四主面的第一地电极。

2.根据权利要求1所述的高频模块,其特征在于,

所述半导体集成电路还具有:

第二地电极,其形成于所述第三主面;以及

通路导体,其与所述第一地电极及所述第二地电极连接,形成于所述半导体集成电路内。

3.根据权利要求1所述的高频模块,其特征在于,

所述半导体集成电路还具有:

第二地电极,其形成于所述第三主面;以及

侧面电极,其与所述第一地电极及所述第二地电极连接,形成于所述半导体集成电路的侧面。

4.根据权利要求2或3所述的高频模块,其特征在于,

在俯视所述第四主面的情况下,

所述第四主面为多边形,

在所述第四主面形成有多个所述第一地电极,

多个所述第一地电极中的一个第一地电极形成于包含所述第四主面的多个外边中的第一外边的第一外缘区域,

多个所述第一地电极中的其它第一地电极形成于包含所述第四主面的多个外边中的与所述第一外边相向的第二外边的第二外缘区域。

5.根据权利要求4所述的高频模块,其特征在于,

在俯视所述第二主面的情况下,

所述模块基板为多边形,

在所述第二主面形成有多个所述外部连接端子,

在所述模块基板的第三外缘区域和所述模块基板的第四外缘区域,没有形成多个所述外部连接端子,其中,所述第三外缘区域位于所述第一外边与所述第二主面的多个外边中的第三外边之间,所述第三外边与所述第一外边相向且最接近所述第一外边,所述第四外缘区域位于所述第二外边与所述第二主面的多个外边中的第四外边之间,所述第四外边与所述第二外边相向且最接近所述第二外边,

在所述模块基板上的除所述第三外缘区域和所述第四外缘区域以外的外缘区域,形成有多个所述外部连接端子。

6.根据权利要求1所述的高频模块,其特征在于,

还具备配置于所述第一主面的发送功率放大器。

7.根据权利要求1所述的高频模块,其特征在于,还具备:

第一接收滤波器,其以第一通信频段为通带;

第二接收滤波器,其以第二通信频段为通带;

第一开关,其对所述接收低噪声放大器与所述第一接收滤波器的连接以及所述接收低噪声放大器与所述第二接收滤波器的连接进行切换;以及

第二开关,其对天线连接端子与所述第一接收滤波器的连接和非连接进行切换,另外,对所述天线连接端子与所述第二接收滤波器的连接和非连接进行切换,

其中,所述第一开关和所述第二开关包括在所述半导体集成电路中,

所述第一接收滤波器和所述第二接收滤波器配置于所述第一主面。

8.一种通信装置,其特征在于,具备:

射频信号处理电路,其对利用天线发送接收的高频信号进行处理;以及

根据权利要求1~7中的任一项所述的高频模块,其在所述天线与所述射频信号处理电路之间传输所述高频信号。

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