[实用新型]一种基于Ho：SSO可饱和吸收体的被动调Q激光器

说明书

本实用新型提供了一种基于Ho：SSO可饱和吸收体的被动调Q激光器，包括半导体激光器、耦合透镜组、Tm：YLF晶体、第一凹面全反镜、第一凹面全反镜、Ho：SSO可饱和吸收体、输出镜；所述半导体激光器的输出端与耦合透镜组相对，所述耦合透镜组与Tm：YLF晶体相对，所述Tm：YLF晶体与第一凹面全反镜的凹面相对，所述第一凹面全反镜与第二凹面全反镜的凹面相对，所述第二凹面全反镜与Ho：SSO可饱和吸收体的输入端相对，所述Ho：SSO可饱和吸收体的输出端与输出镜的输入端相对。本实用新型能够稳定的、低阈值全纵深调制的产生亚微秒脉冲激光。

技术领域

本实用新型涉及脉冲激光技术领域及非线性光学领域，具体涉及一种被动调Q激光器。

背景技术

被动调Q和主动调Q技术都可以获得脉冲激光发射，但两者相比，各有特点和优势。被动调Q技术通常是获得微秒长脉冲和亚微秒脉冲的重要手段，而主动调Q则通常适宜于产生纳秒和几十纳秒短脉冲的主要方法。在被动调Q技术方面，可饱和吸收体的开关响应时间和激发态电子的弛豫时间，通常会影响着调Q脉冲的时间宽度、重复频率，以及脉冲形态的对称性等。通常，快饱和吸收体非常适合产生短脉冲和高重复频率发射，然而，使用慢饱和吸收体可以获得微秒及亚微秒的脉冲输出。因为亚微秒脉冲有着特定的技术应用领域，所以探索具有适当响应时间的慢饱和吸收体，也是当前激光器领域的一项重要课题。近年来，在2 µm波段可用的可饱和吸收体的开发和应用中，人们已经探索过许多种类的新型材料，包括Cr2+：ZnS和Ho：Lu AG等体相材料。在被动调Q激光器中，输出波长可连续调谐，可调谐范围覆盖了1.8-2.1 µm波段。值得提及的是，采用可调谐手段来获得边缘谱带（如1.8-1.9µm）的激光输出，其输出效率明显降低。

而目前缺少一种稳定的、低阈值全纵深调制的产生亚微秒脉冲激光的装置。

实用新型内容

为解决上述问题，本实用新型提供了一种基于Ho：SSO可饱和吸收体的被动调Q激光器，能够稳定的、低阈值全纵深调制的产生亚微秒脉冲激光。

为实现上述目的，本实用新型的技术方案为：

一种基于Ho：SSO可饱和吸收体的被动调Q激光器，包括：半导体激光器、耦合透镜组、Tm：YLF晶体、第一凹面全反镜、第一凹面全反镜、Ho：SSO可饱和吸收体、输出镜；所述半导体激光器的输出端与耦合透镜组相对，所述耦合透镜组与Tm：YLF晶体相对，所述Tm：YLF晶体与第一凹面全反镜的凹面相对，所述第一凹面全反镜与第二凹面全反镜的凹面相对，所述第二凹面全反镜与Ho：SSO可饱和吸收体的输入端相对，所述Ho：SSO可饱和吸收体的输出端与输出镜的输入端相对；

其中，所述半导体激光器发射的连续光经过耦合透镜组入射到Tm：YLF晶体，经过Tm：YLF晶体由第一凹面全反镜反射到达第二凹面全反镜，然后被反射至Ho：SSO可饱和吸收体，最后经过Ho：SSO可饱和吸收体后到达输出镜输出激光。

进一步的，所述半导体激光器发射的连续光的中心波长为792 nm。

进一步的，所述输出镜输出的激光的中心波长为1908 nm。

进一步的，所述Tm：YLF晶体朝向半导体激光器的一面镀有792 nm增透膜和1908nm高反膜，背向半导体激光器的一面镀有1908 nm的增透膜。

进一步的，所述第一凹面全反镜镀朝向第二凹面全反镜的一面镀有792 nm增透膜和1908 nm高反膜。

进一步的，所述第二凹面全反镜朝向Ho：SSO可饱和吸收体的一面镀有1908 nm高反膜。

进一步的，所述输出镜朝向Ho：SSO可饱和吸收体的一面镀有1908 nm高反膜。

本实用新型采用以上技术方案与现有技术相比，具有以下有益效果：