[实用新型]一种基于Ho：SSO可饱和吸收体的被动调Q激光器有效
| 申请号： | 202022682385.8 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN213460459U | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 常建华;周妹;孟园园;陈思成;刘海洋;杨镇博 | 申请（专利权）人： | 南京信息工程大学 |
| 主分类号： | H01S3/113 | 分类号： | H01S3/113;H01S3/16;H01S3/08;H01S3/0941 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 施昊 |
| 地址： | 210032 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 ho sso 饱和 吸收体 被动 激光器 | ||
1.一种基于Ho：SSO可饱和吸收体的被动调Q激光器，其特征在于，包括：半导体激光器、耦合透镜组、Tm：YLF晶体、第一凹面全反镜、第一凹面全反镜、Ho：SSO可饱和吸收体、输出镜；所述半导体激光器的输出端与耦合透镜组相对，所述耦合透镜组与Tm：YLF晶体相对，所述Tm：YLF晶体与第一凹面全反镜的凹面相对，所述第一凹面全反镜与第二凹面全反镜的凹面相对，所述第二凹面全反镜与Ho：SSO可饱和吸收体的输入端相对，所述Ho：SSO可饱和吸收体的输出端与输出镜的输入端相对；
其中，所述半导体激光器发射的连续光经过耦合透镜组入射到Tm：YLF晶体，经过Tm：YLF晶体由第一凹面全反镜反射到达第二凹面全反镜，然后被反射至Ho：SSO可饱和吸收体，最后经过Ho：SSO可饱和吸收体后到达输出镜输出激光。
2. 根据权利要求1所述的基于Ho：SSO可饱和吸收体的被动调Q激光器，其特征在于：所述半导体激光器发射的连续光的中心波长为792 nm。
3. 根据权利要求1所述的基于Ho：SSO可饱和吸收体的被动调Q激光器，其特征在于：所述输出镜输出的激光的中心波长为1908 nm。
4. 根据权利要求1所述的基于Ho：SSO可饱和吸收体的被动调Q激光器，其特征在于：所述Tm：YLF晶体朝向半导体激光器的一面镀有792 nm增透膜和1908 nm高反膜，背向半导体激光器的一面镀有1908 nm的增透膜。
5. 根据权利要求1所述的基于Ho：SSO可饱和吸收体的被动调Q激光器，其特征在于：所述第一凹面全反镜镀朝向第二凹面全反镜的一面镀有792 nm增透膜和1908 nm高反膜。
6. 根据权利要求1所述的基于Ho：SSO可饱和吸收体的被动调Q激光器，其特征在于：所述第二凹面全反镜朝向Ho：SSO可饱和吸收体的一面镀有1908 nm高反膜。
7. 根据权利要求1所述的基于Ho：SSO可饱和吸收体的被动调Q激光器，其特征在于：所述输出镜朝向Ho：SSO可饱和吸收体的一面镀有1908 nm高反膜。
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