[实用新型]等离子体增强化学气相沉积装置

说明书

本实用新型涉及一种等离子体增强化学气相沉积装置，包括壳体和设置于壳体内部的上电极、下电极和支架，上电极和下电极相对设置，并使上电极和下电极之间形成第一容纳腔，工件放置于第一容纳腔内并能够与第一容纳腔内的化学气体反应形成薄膜结构，下电极与壳体的底部之间形成第二容纳腔，支架用于支撑工件，支架设置于壳体的侧壁上，且支架位于第一容纳腔和第二容纳腔之间，支架开设有第一气流通道和第二气流通道，第一气流通道和第二气流通道分别连通第一容纳腔和第二容纳腔，相邻两个侧壁的相交处设有第一气流通道，每个侧壁的中线处设置有第二气流通道。该装置具有方便清理和保证工件的生产质量的特点。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种等离子体增强化学气相沉积装置。

背景技术

随着半导体技术的发展，等离子体增强化学气相沉积(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，PECVD)装置的开发和使用日益广泛。该装置利用辉光放电使化学气体电离后在基板上形成薄膜结构。在实际应用中，为提高薄膜在基板上的附着稳固性，通常在基板的边缘部盖设有遮挡盖板，以使基板的边缘部不形成薄膜结构。遮挡盖板通过支架支撑固定在反应腔室内。反应过程中，除了需要形成薄膜结构的基板，反应腔室内的其他位置也会形成薄膜结构。因此，需要对其他位置的薄膜结构进行清理。清理时，通过向反应腔室内通入清洁气体，使薄膜脱离附着表面并随气体排出。位于反应腔室的侧壁的中部位置由于气体流动性不足，极易造成薄膜碎屑的残留，无法保证清理质量。同时，反应时需要对基板加热，支架在热影响下容易发生拉伸变形，造成支架与基板之间发生磨损，不利于保证基板的生产质量。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提出一种等离子体增强化学气相沉积装置，其利于薄膜清理和保证工件的生产质量。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

提供的一种等离子体增强化学气相沉积装置，包括壳体和设置于所述壳体内部的上电极、下电极和支架，所述上电极和所述下电极相对设置，并使所述上电极和所述下电极之间形成第一容纳腔，工件放置于所述第一容纳腔内并能够与所述第一容纳腔内的化学气体反应形成薄膜结构，所述下电极与所述壳体的底部之间形成第二容纳腔，所述支架用于支撑所述工件，所述支架设置于所述壳体的侧壁上，且所述支架位于所述第一容纳腔和所述第二容纳腔之间，所述支架开设有第一气流通道和第二气流通道，所述第一气流通道和所述第二气流通道分别连通所述第一容纳腔和所述第二容纳腔，相邻两个所述侧壁的相交处设有所述第一气流通道，每个所述侧壁的中线处设置有所述第二气流通道。

作为等离子体增强化学气相沉积装置的一种优选方案，所述工件包括玻璃基板和盖设在所述玻璃基板的周部的遮挡盖板，所述玻璃基板放置于所述下电极朝向所述上电极的一侧面，所述遮挡盖板的边缘部与所述支架连接，所述第一气流通道和所述第二气流通道位于所述遮挡盖板与所述壳体的侧壁之间。

作为等离子体增强化学气相沉积装置的一种优选方案，所述支架包括多个支撑件，每个所述支撑件设置于相对应的所述侧壁上，所述支撑件的端部与相邻两个所述侧壁的相交处间隔，以使相邻两个所述支撑件之间形成所述第一气流通道。

作为等离子体增强化学气相沉积装置的一种优选方案，所述支撑件包括两个间隔设置的支撑分段，两个所述支撑分段之间形成所述第二气流通道。

作为等离子体增强化学气相沉积装置的一种优选方案，所述支撑分段为中空结构。

作为等离子体增强化学气相沉积装置的一种优选方案，所述上电极与所述下电极之间设置有散风板，所述散风板与所述上电极之间形成第三容纳腔，所述上电极设置有进气通道，所述进气通道与所述第三容纳腔连通，所述散风板上间隔设置有多个散风嘴，所述第三容纳腔内的所述化学气体通过所述散风嘴喷射至所述工件。

作为等离子体增强化学气相沉积装置的一种优选方案，所述上电极朝向所述散风板的一侧设置有导流板，所述导流板与所述进气通道正对。