[实用新型]等离子体增强化学气相沉积装置有效
| 申请号: | 202022674599.0 | 申请日: | 2020-11-18 |
| 公开(公告)号: | CN213142185U | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
| 发明(设计)人: | 姜宇锡 | 申请(专利权)人: | 乐金显示光电科技(中国)有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
| 地址: | 510530 广东省广州市广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 等离子体 增强 化学 沉积 装置 | ||
1.一种等离子体增强化学气相沉积装置,其特征在于,包括壳体和设置于所述壳体内部的上电极、下电极和支架,所述上电极和所述下电极相对设置,并使所述上电极和所述下电极之间形成第一容纳腔,工件放置于所述第一容纳腔内并能够与所述第一容纳腔内的化学气体反应形成薄膜结构,所述下电极与所述壳体的底部之间形成第二容纳腔,所述支架用于支撑所述工件,所述支架设置于所述壳体的侧壁上,且所述支架位于所述第一容纳腔和所述第二容纳腔之间,所述支架开设有第一气流通道和第二气流通道,所述第一气流通道和所述第二气流通道分别连通所述第一容纳腔和所述第二容纳腔,相邻两个所述侧壁的相交处设有所述第一气流通道,每个所述侧壁的中线处设置有所述第二气流通道。
2.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积装置,其特征在于,所述工件包括玻璃基板和盖设在所述玻璃基板的周部的遮挡盖板,所述玻璃基板放置于所述下电极朝向所述上电极的一侧面,所述遮挡盖板的边缘部与所述支架连接,所述第一气流通道和所述第二气流通道位于所述遮挡盖板与所述壳体的侧壁之间。
3.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积装置,其特征在于,所述支架包括多个支撑件,每个所述支撑件设置于相对应的所述侧壁上,所述支撑件的端部与相邻两个所述侧壁的相交处间隔,以使相邻两个所述支撑件之间形成所述第一气流通道。
4.根据权利要求3所述的等离子体增强化学气相沉积装置,其特征在于,所述支撑件包括两个间隔设置的支撑分段,两个所述支撑分段之间形成所述第二气流通道。
5.根据权利要求4所述的等离子体增强化学气相沉积装置,其特征在于,所述支撑分段为中空结构。
6.根据权利要求2所述的等离子体增强化学气相沉积装置,其特征在于,所述上电极与所述下电极之间设置有散风板,所述散风板与所述上电极之间形成第三容纳腔,所述上电极设置有进气通道,所述进气通道与所述第三容纳腔连通,所述散风板上间隔设置有多个散风嘴,所述第三容纳腔内的所述化学气体通过所述散风嘴喷射至所述工件。
7.根据权利要求6所述的等离子体增强化学气相沉积装置,其特征在于,所述上电极朝向所述散风板的一侧设置有导流板,所述导流板与所述进气通道正对。
8.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积装置,其特征在于,所述下电极内设置有电阻丝,所述电阻丝用于加热所述下电极。
9.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积装置,其特征在于,还包括气泵,所述壳体的底部设置有出气通道,所述气泵与所述出气通道连接。
10.根据权利要求9所述的等离子体增强化学气相沉积装置,其特征在于,还包括废气处理装置,所述废气处理装置与所述气泵的出口连通。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





