[实用新型]一种化学机械研磨设备

说明书

本申请实施例提供本一种化学机械研磨设备，包括研磨垫、研磨头以及清理装置，研磨头位于研磨垫的上方，清理装置配置为将清理流体喷吹至研磨垫以清理研磨垫。通过清理装置向研磨垫喷吹清理流体，研磨垫上的晶渣随着喷吹至研磨垫的清理流体被清理至研磨垫外。缓解了研磨垫上的晶渣对研磨头的损伤。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种化学机械研磨设备。

背景技术

在半导体例如晶片加工过程中需要对半导体进行抛光，以使半导体表面平整，通常采用的是CMP(Chemical Mechanical Polish，化学机械研磨)进行抛光处理，然而现有的化学机械研磨设备在研磨过程中可能会出现研磨头损伤的问题。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例期望提供一种化学机械研磨设备，以缓解研磨头的损伤。

为达到上述目的，本申请实施例一方面提供一种化学机械研磨设备，包括研磨垫、研磨头以及清理装置，所述研磨头位于所述研磨垫的上方，所述清理装置配置为将清理流体喷吹至所述研磨垫以清理所述研磨垫。

一实施例中，所述清理装置包括：

喷嘴组，所述喷嘴组位于所述研磨垫的上方，所述喷嘴组配置为将所述清理流体喷吹至所述研磨垫以清理所述研磨垫；以及

导流刮板，位于所述研磨垫的上方，所述导流刮板至少部分地位于所述喷嘴组沿所述研磨垫的周向背离所述研磨头的一侧，所述导流刮板配置为将所述研磨垫上的清理流体和所述研磨垫上被所述清理流体清理出的物料导离所述研磨垫。

一实施例中，所述喷嘴组包括至少一个喷嘴，每个所述喷嘴的喷吹方向配置为将所述研磨垫上被所述清理流体清理出的物料吹向所述研磨垫的外侧。

一实施例中，所述喷嘴的数量为多个，多个所述喷嘴的喷吹方向平行。

一实施例中，所述导流刮板沿所述研磨垫的周向朝向所述喷嘴组一侧的表面为凹面。

一实施例中，所述导流刮板延伸至所述喷嘴组朝向所述研磨垫内侧的一端。

一实施例中，所述导流刮板与所述研磨垫抵接。

一实施例中，所述导流刮板的材料为柔性材料。

一实施例中，所述研磨头的转动轴线偏离所述研磨垫的转动轴线，所述化学机械研磨设备还包括研磨液供给装置，所述清理装置位于所述研磨头和所述研磨液供给装置之间，所述清理装置位于所述研磨液供给装置背离所述研磨垫转动方向的一侧。

一实施例中，所述清理流体为氮气和去离子水形成的混合流体。

本申请实施例的化学机械研磨设备，包括研磨垫、研磨头以及清理装置，研磨头位于研磨垫的上方，清理装置配置为将清理流体喷吹至研磨垫以清理研磨垫。通过清理装置向研磨垫喷吹清理流体，研磨垫上的晶渣随着喷吹至研磨垫的清理流体被清理至研磨垫外。缓解了研磨垫上的晶渣对研磨头的损伤。

附图说明

图1为本申请一实施例的化学机械研磨设备的结构示意图，图中箭头A所示方向为研磨垫的转动方向，箭头B所示方向为研磨头的转动方向，箭头R所示视图方向与第一平面垂直；

图2为图1的R向视图，图中箭头C所示方向为喷嘴吹向研磨垫的喷吹方向；

图3为本申请实施例的化学机械研磨设备的结构示意图，图中研磨头包括研磨头主体和背膜。

附图标记说明：研磨垫1；研磨头2；研磨头主体21；背膜22；清理装置3；喷嘴组31；喷嘴311；导流刮板32；研磨液供给装置4；半导体5；研磨垫修整器6；第一交点P1；第二交点P2；第三交点P3；第一预设距离D1；第二预设距离D2；射线100；第一平面200；第二平面300；第三平面400。

具体实施方式