[实用新型]电平转换电路及终端

说明书

一种电平转换电路及终端，电平转换电路包括依次串联的第一PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管和第三NMOS管；依次串联的第二PMOS管、第四PMOS管、第二NMOS管和第四NMOS管；依次串联的第五PMOS管、第七PMOS管、第五NMOS管和第七NMOS管；依次串联的第六PMOS管、第八PMOS管、第六NMOS管和第八NMOS管；第三PMOS管的漏极和第四PMOS管的漏极相耦接，作为电平转换电路的第一输出端；第七PMOS管的漏极和第八PMOS管的漏极相耦接，作为电平转换电路的第二输出端。本实用新型技术方案能够使用同一电路结构实现升压转换和降压转换。

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种电平转换电路及终端。

背景技术

电压电平转换电路(levelshiftcircuit)是用来把输入电压转换成不同的输出电压。

但是，现有技术对输入信号升压(高电平转换)和降压(低电平转换)需要使用不同的电路结构。对于具有升压和降压需求的终端，需要同时设置高电平转换电路和低电平转换电路，导致电路面积大，电平转换复杂。

发明内容

本实用新型解决的技术问题是如何使用同一电路结构实现升压转换和降压转换。

为解决上述技术问题，本实用新型实施例提供一种电平转换电路，电平转换电路包括：依次串联的第一PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管和第三NMOS管，所述第一PMOS管的源极接入正电源电压，所述第一PMOS管的栅极接入输入信号，所述第三PMOS管的栅极接入第一电压，所述第一NMOS管的栅极接入第二电压，所述第三NMOS管的源极接入负电源电压，所述第三NMOS管的栅极接入所述输入信号；依次串联的第二PMOS管、第四PMOS管、第二NMOS管和第四NMOS管，所述第二PMOS管的源极接入所述正电源电压，所述第二PMOS管的栅极接入所述输入信号，所述第四NMOS管的源极接入所述负电源电压，所述第四NMOS管的栅极接入所述输入信号；依次串联的第五PMOS管、第七PMOS管、第五NMOS管和第七NMOS管，所述第五PMOS管的源极接入所述正电源电压，所述第五PMOS管的栅极接入所述输入信号的反相电压，所述第七PMOS管的栅极耦接所述第四PMOS管的漏极，所述第七PMOS管的漏极耦接所述第四PMOS管的栅极，所述第五NMOS管的栅极耦接所述第四PMOS管的漏极，所述第五NMOS管的漏极耦接所述第四NMOS管的栅极，所述第七NMOS管的源极接入所述负电源电压，所述第七NMOS管的栅极接入所述输入信号的反相电压；依次串联的第六PMOS管、第八PMOS管、第六NMOS管和第八NMOS管，所述第六PMOS管的源极接入所述正电源电压，所述第六PMOS管的栅极接入所述输入信号的反相电压，所述第八PMOS管的栅极接入所述第一电压，所述第六NMOS管的栅极接入所述第二电压，所述第八NMOS管的源极接入所述负电源电压，所述第八NMOS管的栅极接入所述输入信号的反相电压；其中，所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的漏极相耦接，作为所述电平转换电路的第一输出端；所述第七PMOS管的漏极和所述第八PMOS管的漏极相耦接，作为所述电平转换电路的第二输出端。

可选的，所述电平转换电路用于升压，所述第一电压为所述正电源电压，所述第二电压为所述输入信号的高电平。

可选的，所述正电源电压大于所述输入信号的高电平。

可选的，所述电平转换电路用于降压，所述第一电压为所述输入信号的低电平，所述第二电压为所述负电源电压。

可选的，所述负电源电压小于所述输入信号的低电平。

可选的，所述电平转换电路还包括：反相器，其一端接入所述输入信号，其另一端耦接所述第五PMOS管、所述第六PMOS管、所述第七NMOS管和所述第八NMOS管的栅极。