[实用新型]电平转换电路及终端有效
| 申请号: | 202022625120.4 | 申请日: | 2020-11-13 |
| 公开(公告)号: | CN213402974U | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
| 发明(设计)人: | 丁启源;王富中 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张振军 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电平 转换 电路 终端 | ||
1.一种电平转换电路,其特征在于,包括:
依次串联的第一PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管和第三NMOS管,所述第一PMOS管的源极接入正电源电压,所述第一PMOS管的栅极接入输入信号,所述第三PMOS管的栅极接入第一电压,所述第一NMOS管的栅极接入第二电压,所述第三NMOS管的源极接入负电源电压,所述第三NMOS管的栅极接入所述输入信号;
依次串联的第二PMOS管、第四PMOS管、第二NMOS管和第四NMOS管,所述第二PMOS管的源极接入所述正电源电压,所述第二PMOS管的栅极接入所述输入信号,所述第四NMOS管的源极接入所述负电源电压,所述第四NMOS管的栅极接入所述输入信号;
依次串联的第五PMOS管、第七PMOS管、第五NMOS管和第七NMOS管,所述第五PMOS管的源极接入所述正电源电压,所述第五PMOS管的栅极接入所述输入信号的反相电压,所述第七PMOS管的栅极耦接所述第四PMOS管的漏极,所述第七PMOS管的漏极耦接所述第四PMOS管的栅极,所述第五NMOS管的栅极耦接所述第四PMOS管的漏极,所述第五NMOS管的漏极耦接所述第四NMOS管的栅极,所述第七NMOS管的源极接入所述负电源电压,所述第七NMOS管的栅极接入所述输入信号的反相电压;
依次串联的第六PMOS管、第八PMOS管、第六NMOS管和第八NMOS管,所述第六PMOS管的源极接入所述正电源电压,所述第六PMOS管的栅极接入所述输入信号的反相电压,所述第八PMOS管的栅极接入所述第一电压,所述第六NMOS管的栅极接入所述第二电压,所述第八NMOS管的源极接入所述负电源电压,所述第八NMOS管的栅极接入所述输入信号的反相电压;
其中,所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的漏极相耦接,作为所述电平转换电路的第一输出端;所述第七PMOS管的漏极和所述第八PMOS管的漏极相耦接,作为所述电平转换电路的第二输出端。
2.根据权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,所述电平转换电路用于升压,所述第一电压为所述正电源电压,所述第二电压为所述输入信号的高电平。
3.根据权利要求2所述的电平转换电路,其特征在于,所述正电源电压大于所述输入信号的高电平。
4.根据权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,所述电平转换电路用于降压,所述第一电压为所述输入信号的低电平,所述第二电压为所述负电源电压。
5.根据权利要求4所述的电平转换电路,其特征在于,所述负电源电压小于所述输入信号的低电平。
6.根据权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,还包括:
反相器,其一端接入所述输入信号,其另一端耦接所述第五PMOS管、所述第六PMOS管、所述第七NMOS管和所述第八NMOS管的栅极。
7.一种终端,其特征在于,包括权利要求1至6中任一项所述的电平转换电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格科微电子(上海)有限公司,未经格科微电子(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202022625120.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





