[实用新型]薄膜晶体管、阵列基板与显示面板

说明书

本公开提供了一种薄膜晶体管、阵列基板与显示面板，该薄膜晶体管包括：基板、缓冲层、栅极、遮挡层、栅绝缘层、有源层与源漏导电层，缓冲层设于基板一侧；栅极设于缓冲层背离基板的一侧，缓冲层在基板上的正投影包括与栅极在基板上的正投影重叠的重叠部分以及位于重叠部分以外的非重叠部分；遮挡层设于缓冲层背离基板的一侧，且在栅极在基板上的正投影至少覆盖部分缓冲层在基板上正投影中的非重叠部分；栅绝缘层于栅极背离基板的一侧，且在基板上的正投影覆盖缓冲层、栅极及遮挡层在基板上的正投影；有源层设于栅绝缘层背离基板的一侧；源漏导电层设于有源层背离基板的一侧。本公开提供的薄膜晶体管，避免了光照穿过缓冲层导致有源层出现漏电流。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种薄膜晶体管、阵列基板与显示面板。

背景技术

TFT-LCD(Thin film transistor liquid crystal display，薄膜晶体管液晶显示器)作为具有高显示效果、低能耗的显示装置，备受人们的青睐。为了满足市场对LCD的需求，面板厂需不断提升自身产能，而1+4Mask产品将转0+4Mask设计，即ITO与Gate层共用一张Mask，预计可提升TV产能约20％左右。因此，0+4Mask技术导入量产成为必然。

然而，1+4Mask产品将转0+4Mask设计，会导致出现硅岛漏电流的问题。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种薄膜晶体管、阵列基板与显示面板，能够避免光照穿过缓冲层导致有源层出现漏电流。

根据本公开的一个方面，提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：

基板；

缓冲层，设于所述基板一侧；

栅极，设于所述缓冲层背离所述基板的一侧，所述缓冲层在所述基板上的正投影包括与所述栅极在所述基板上的正投影重叠的重叠部分以及位于所述重叠部分以外的非重叠部分；

遮挡层，设于所述缓冲层背离所述基板的一侧，且在所述基板上的正投影至少覆盖部分所述缓冲层在所述基板上的正投影中的所述非重叠部分；

栅绝缘层，设于所述栅极背离所述基板的一侧，且在所述栅极在所述基板上的正投影覆盖所述缓冲层、栅极及遮挡层在所述基板上的正投影；

有源层，设于所述栅绝缘层背离所述基板的一侧；

源漏导电层，设于所述有源层背离所述基板的一侧。

在本公开的一种示例性实施例中，所述遮挡层在所述栅极在所述基板上的正投影覆盖所述缓冲层在所述基板上的正投影中的所述非重叠部分。

在本公开的一种示例性实施例中，所述遮挡层设于所述栅极背离所述基板的一侧，且在所述栅极在所述基板上的正投影覆盖所述缓冲层及栅极在所述基板上的正投影。

在本公开的一种示例性实施例中，所述缓冲层在所述基板上的正投影覆盖所述栅极在所述基板上的正投影。

在本公开的一种示例性实施例中，所述栅绝缘层包括：

第一子栅绝缘层，设于所述基板的一侧，并包括开孔区，所述盖所述缓冲层、栅极及遮挡层位于所述开孔区中；

第二子栅绝缘层，设于所述第一子栅绝缘层背离所述基板的一侧，且在所述栅极在所述基板上的正投影覆盖所述缓冲层、栅极及遮挡层在所述基板上的正投影；所述有源层设于所述第二子栅绝缘层背离所述基板的一侧。

在本公开的一种示例性实施例中，所述开孔区的侧壁上至少部分区域覆盖有所述遮挡层。