[实用新型]薄膜晶体管、阵列基板与显示面板有效

专利信息
申请号: 202022623894.3 申请日: 2020-11-13
公开(公告)号: CN213124447U 公开(公告)日: 2021-05-04
发明(设计)人: 张超;吴旭;谌伟;宁智勇;黄中浩;高坤坤 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/423;H01L27/12
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 王辉;阚梓瑄
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:

基板;

缓冲层,设于所述基板一侧;

栅极,设于所述缓冲层背离所述基板的一侧,所述缓冲层在所述基板上的正投影包括与所述栅极在所述基板上的正投影重叠的重叠部分以及位于所述重叠部分以外的非重叠部分;

遮挡层,设于所述缓冲层背离所述基板的一侧,且在所述基板上的正投影至少覆盖部分所述缓冲层在所述基板上的正投影中的所述非重叠部分;

栅绝缘层,设于所述栅极背离所述基板的一侧,且在所述栅极在所述基板上的正投影覆盖所述缓冲层、栅极及遮挡层在所述基板上的正投影;

有源层,设于所述栅绝缘层背离所述基板的一侧;

源漏导电层,设于所述有源层背离所述基板的一侧。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述遮挡层在所述栅极在所述基板上的正投影覆盖所述缓冲层在所述基板上的正投影中的所述非重叠部分。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述遮挡层设于所述栅极背离所述基板的一侧,且在所述栅极在所述基板上的正投影覆盖所述缓冲层及栅极在所述基板上的正投影。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述缓冲层在所述基板上的正投影覆盖所述栅极在所述基板上的正投影。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述栅绝缘层包括:

第一子栅绝缘层,设于所述基板的一侧,并包括开孔区,所述盖所述缓冲层、栅极及遮挡层位于所述开孔区中;

第二子栅绝缘层,设于所述第一子栅绝缘层背离所述基板的一侧,且在所述栅极在所述基板上的正投影覆盖所述缓冲层、栅极及遮挡层在所述基板上的正投影;所述有源层设于所述第二子栅绝缘层背离所述基板的一侧。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述开孔区的侧壁上至少部分区域覆盖有所述遮挡层。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述遮挡层为金属遮挡层。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,在所述遮挡层背离所述基板的方向上,所述遮挡层的厚度为

9.一种阵列基板,其特征在于,包括权利要求1-8任一项所述的薄膜晶体管。

10.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求9所述的阵列基板。

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