[实用新型]一种可变形电极板及电极结构及化学气相沉积设备

说明书

本申请实施例中提供了一种可变形电极板、电极结构及化学气相沉积设备，属于化学气相沉积技术领域。该可变形电极板具体包括基片承载区和边缘区，边缘区包围基片承载区，边缘区包括第一边缘和第二边缘，其中第二边缘可拆卸地与第一边缘固定连接。通过对电极板结构的优化，使得可以针对不同的沉积工艺条件调整电极板的外形结构，从而改善工艺气体在基片承载区分布不均匀等原因造成的大面积沉积膜层的厚度不均匀的情况。

技术领域

本申请涉及化学气相沉积技术领域，尤其涉及一种可变形电极板及电极结构及化学气相沉积设备。

背景技术

PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)是指等离子体增强型化学的气相沉积法，通过借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离在局部形成等离子体，利用等离子体化学活性强，容易发生反应的特性，在基片上沉积出所期望厚度的薄膜。PECVD设备在进行反应腔工艺镀膜时，通常采用上电极、下电极间沉积镀膜的方式，即：通入工艺气体后，在上电极上施加一定的射频功率，上电极、下电极间发生等离子体增强化学气相沉积反应，反应后的薄膜将沉积在下电极的基片上。

现有技术中，上电极、下电极的形状通常为规则的方形形状，由于膜层沉积工艺条件的不同，工艺气体在电极中间区域与边缘区域的分布存在差异，导致在进行大面积薄膜沉积时，经常出现基片上沉积的膜层厚度不均匀的情况。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供一种可变形电极板及电极结构及化学气相沉积设备，至少部分解决现有技术中存在的问题。

上述技术方案具体包括：

一种可变形电极板，其中包括一基片承载区和一边缘区，所述边缘区包围所述基片承载区，所述边缘区包括第一边缘和第二边缘，其中所述第二边缘可拆卸地与所述第一边缘固定连接。

优选地，其中，所述基片承载区为方形结构，所述第一边缘包围于所述基片承载区外侧，且其内侧形状与所述基片承载区外侧形状相适。

优选地，其中，所述边缘区呈中空的方形结构，所述第一边缘位于所述边缘区内侧，所述第二边缘位于所述边缘区外侧，所述第二边缘组成所述方形结构的四个角。

优选地，其中，所述第二边缘包括第一补偿件，所述第一补偿件呈三角形结构，所述第一补偿件与所述第一边缘可拆卸地固定连接。

优选地，其中，所述第二边缘还包括第二补偿件，所述第一补偿件呈直角三角形结构，所述第二补偿件可拆卸地固定在所述第一补偿件的两条直角边上。

优选地，其中，所述第一补偿件通过所述直角三角形结构的斜边与所述第一边缘可拆卸的固定连接。

优选地，其中，所述基片承载区呈方形结构或圆形结构或三角形结构。

一种电极结构，包括上电极板和下电极板，其中，所述下电极板采用如上所述的可变形电极板，所述上电极板上设置有可供气体穿过的通孔。

一种化学气相沉积设备，其中包括如上所述的电极结构，还包括一工艺腔室，所述电极结构设置于所述工艺腔室内，所述工艺腔室上设置有一进气口和一排气口，所述上电极板靠近所述进气口放置，所述下电极板靠近所述排气口设置。

优选地，其中，还包括一真空泵，所述真空泵通过真空管道连接所述排气口。

上述技术方案的有益效果在于：

提供一种可变形电极板及电极结构及化学气相沉积设备，通过对电极板结构的优化，使得可以针对不同的沉积工艺条件调整电极板的外形结构，从而改善工艺气体在基片承载区分布不均匀等原因造成的大面积沉积膜层的厚度不均匀的情况。

附图说明