[实用新型]一种半导体压腔控制装置和快速热处理装置有效

专利信息
申请号: 202022618878.5 申请日: 2020-11-12
公开(公告)号: CN213212123U 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 蔡裕棠 申请(专利权)人: 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/324
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 张洋
地址: 250000 山东省济南市*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 控制 装置 快速 热处理
【说明书】:

实用新型提供一种半导体压腔控制装置和快速热处理装置,涉及半导体技术领域,包括增压装置、管路、粗调阀和精调阀;在管路的两端分别设置有相互连通的第一接口和第二接口,第一接口与增压装置连接,第二接口用于连接反应箱的半导体腔室;粗调阀和精调阀分别设置于管路上,用于分别调节半导体腔室的压力。在实现反应箱内的半导体腔室的压力控制时,可以通过粗调阀的粗略调节加之精调阀的精确调节,实现对压力的精确控制,同时,还可以进一步的提高半导体腔室的压力控制的稳定性,避免因单一阀故障导致半导体腔室的压力控制失效,进而使得半导体器件在反应箱进行加工时,能够获得更加稳定的压力环境以及双重稳压的安全保证。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种半导体压腔控制装置和快速热处理装置。

背景技术

随着半导体器件的高度集成,人们对降低半导体器件的生产成本和提高半导体良率的要求越来越高。在半导体制造工艺过程中,某些工序需要高温,如晶格缺陷修复、掺杂物激活和最小化掺杂物扩散等等,但是高温会使已经进入硅片的杂质发生不希望的再分布。采用快速热处理工艺,可以使硅片表面温度在极短的时间内加热到极高的温度,从而减小该类杂质的再分布。在实现快速热处理时,对应不同制成需求需要满足对应的腔体压力。

现有快速热处理装置在对腔体压力进行控制时,往往采用单一的控制阀进行压力控制,难以满足反应腔体的精确的压力控制。

实用新型内容

本实用新型的目的在于,针对上述现有技术中的不足,提供一种半导体压腔控制装置和快速热处理装置,以改善现有单一控制阀控制反应腔体压力时,控制精度较差的问题。

为实现上述目的,本实用新型实施例采用的技术方案如下:

本实用新型实施例的一方面,提供一种半导体压腔控制装置,包括增压装置、管路、粗调阀和精调阀;在管路的两端分别设置有相互连通的第一接口和第二接口,第一接口与增压装置连接,第二接口用于连接反应箱的半导体腔室;粗调阀和精调阀分别设置于管路上,用于分别调节半导体腔室的压力。

可选的,精调阀位于增压装置和粗调阀之间。

可选的,粗调阀为蝴蝶阀。

可选的,精调阀为针型阀或球型阀。

可选的,半导体压腔控制装置还包括控制器,控制器分别与粗调阀和精调阀电连接,用于在调节半导体腔室压力时,先调节粗调阀的阀门至第一预设开口后,再调节精调阀的阀门至第二预设开口。

可选的,半导体压腔控制装置还包括与控制器电连接的压力传感器,压力传感器设置于反应箱,用于采集反应箱内的压力信息;控制器用于根据压力信息控制粗调阀和精调阀调节半导体腔室的压力。

可选的,在管路上还设置有截止阀。

本实用新型实施例的另一方面,提供一种快速热处理装置,包括具有半导体腔室的反应箱以及任一种的导体压腔控制装置;导体压腔控制装置的第二接口与反应箱的半导体腔室连接。

可选的,在反应箱内设置有工位,工位用于承载半导体器件;在半导体腔室内还设置有与工位对应的热源装置。

可选的,热源装置为激光源装置。

本实用新型的有益效果包括:

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