[实用新型]一种半导体压腔控制装置和快速热处理装置有效
| 申请号: | 202022618878.5 | 申请日: | 2020-11-12 |
| 公开(公告)号: | CN213212123U | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
| 发明(设计)人: | 蔡裕棠 | 申请(专利权)人: | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/324 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 张洋 |
| 地址: | 250000 山东省济南市*** | 国省代码: | 山东;37 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 半导体 控制 装置 快速 热处理 | ||
1.一种半导体压腔控制装置,其特征在于,包括增压装置、管路、粗调阀和精调阀;在所述管路的两端分别设置有相互连通的第一接口和第二接口,所述第一接口与所述增压装置连接,所述第二接口用于连接反应箱的半导体腔室;所述粗调阀和所述精调阀分别设置于所述管路上,用于分别调节所述半导体腔室的压力。
2.如权利要求1所述的半导体压腔控制装置,其特征在于,所述精调阀位于所述增压装置和所述粗调阀之间。
3.如权利要求1所述的半导体压腔控制装置,其特征在于,所述粗调阀为蝴蝶阀。
4.如权利要求1所述的半导体压腔控制装置,其特征在于,所述精调阀为针型阀或球型阀。
5.如权利要求1至4任一项所述的半导体压腔控制装置,其特征在于,还包括控制器,所述控制器分别与所述粗调阀和所述精调阀电连接,用于在调节所述半导体腔室压力时,先调节所述粗调阀的阀门至第一预设开口后,再调节所述精调阀的阀门至第二预设开口。
6.如权利要求5所述的半导体压腔控制装置,其特征在于,还包括与所述控制器电连接的压力传感器,所述压力传感器设置于所述反应箱,用于采集所述反应箱内的压力信息;所述控制器用于根据所述压力信息控制所述粗调阀和所述精调阀调节所述半导体腔室的压力。
7.如权利要求1至4任一项所述的半导体压腔控制装置,其特征在于,在所述管路上还设置有截止阀。
8.一种快速热处理装置,其特征在于,包括具有半导体腔室的反应箱以及如权利要求1至7任一项所述的导体压腔控制装置;所述导体压腔控制装置的第二接口与所述反应箱的半导体腔室连接。
9.如权利要求8所述的快速热处理装置,其特征在于,在所述反应箱内设置有工位,所述工位用于承载半导体器件;在所述半导体腔室内还设置有与所述工位对应的热源装置。
10.如权利要求9所述的快速热处理装置,其特征在于,所述热源装置为激光源装置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泉芯集成电路制造(济南)有限公司,未经泉芯集成电路制造(济南)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202022618878.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种采空区无损检测装置
- 下一篇:一种健康管理咨询展览牌
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





