[实用新型]一种耐高压屏蔽栅功能MOSFET芯片

权利要求书

1.一种耐高压屏蔽栅功能MOSFET芯片，包括N+衬底层，在所述N+衬底层上方设有N-型基区层，在所述N-型基区层上方嵌入有两个P型基区，在每个所述P型基区上方嵌入有两个N+集电区，屏蔽栅设置在两个所述P型基区之间深入所述N-型基区层内部，其特征在于：所述屏蔽栅覆盖沟槽薄氧，所述沟槽薄氧内部设置有连栅极多晶硅，所述连栅极多晶硅覆盖有沟槽厚氧，所述沟槽厚氧、沟槽薄氧底部设置P+型基区，所述P+型基区外部设置有P-型包围层。

2.根据权利要求1所述的一种耐高压屏蔽栅功能MOSFET芯片，其特征在于，所述P-型包围层将所述P+型基区进行包围。

3.根据权利要求1所述的一种耐高压屏蔽栅功能MOSFET芯片，其特征在于，源极电极设置在所述P型基区上并连通所述P型基区上的两个所述N+集电区，漏极电极和N+衬底连接，所述屏蔽栅设置在两个所述P型基区之间深入所述N-型基区层内部。

4.根据权利要求3所述的一种耐高压屏蔽栅功能MOSFET芯片，其特征在于，在连接所述源极电极之外的P型基区表面、N-型基区表面覆盖有二氧化硅绝缘层。

5.根据权利要求4所述的一种耐高压屏蔽栅功能MOSFET芯片，其特征在于，在两个所述P型基区的外侧各设置有一个贯穿二氧化硅绝缘层抵达所述P型基区表面的源极电极凸起。

6.根据权利要求5所述的一种耐高压屏蔽栅功能MOSFET芯片，其特征在于，所述源极电极凸起下方垂直设置贯穿所述P型基区抵达所述N-型基区内部的连源极多晶硅。

7.根据权利要求1所述的一种耐高压屏蔽栅功能MOSFET芯片，其特征在于，所述沟槽薄氧内部还设置有栅极多晶硅。

8.根据权利要求1所述的一种耐高压屏蔽栅功能MOSFET芯片，其特征在于，在所述P+型基区和所述P型基区之间的所述屏蔽栅周围设置有N-型浮空层。