[实用新型]高可靠性沟槽功率MOS晶体管有效
| 申请号： | 202022576714.0 | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN213583802U | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 黄彦智;俞仲威 | 申请（专利权）人： | 开泰半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坪山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可靠性 沟槽 功率 mos 晶体管 | ||
1.一种高可靠性沟槽功率MOS晶体管，其特征在于：包括：位于N型硅片本体（1）上部的P型基体层（2）、位于N型硅片本体（1）中部的轻掺杂N型漂移层（3）、位于N型硅片本体（1）下部的重掺杂N型衬底层（4），位于P型基体层（2）中的沟槽（5）从P型基体层（2）上表面延伸至轻掺杂N型漂移层（3）内，此沟槽（5）内具有一栅极多晶硅部（6），此栅极多晶硅部（6）与沟槽（5）之间通过一栅极氧化隔离层（7）；
位于所述P型基体层（2）上部且在沟槽（5）周边具有一重掺杂N型源极区（8），一重掺杂P型植入区（9）位于重掺杂N型源极区（8）外侧周边并在竖直方向延伸至重掺杂N型源极区（8）下方，所述重掺杂P型植入区（9）在水平且朝向沟槽方向延伸至重掺杂N型源极区（8）正下方，所述重掺杂P型植入区（9）与沟槽（5）之间且位于重掺杂N型源极区（8）下方的区域作为通道区（10）；
一漏极金属层（12）位于重掺杂N型衬底层（4）与轻掺杂N型漂移层（3）相背的表面，所述重掺杂N型源极区（8）上表面开有一凹槽（14），一绝缘介质层（11）覆盖所述沟槽（5）和栅极多晶硅部（6）上表面并延伸覆盖凹槽（14）一部分，一源极金属层（13）覆盖于和重掺杂P型植入区（9）上表面并延伸覆盖重掺杂N型源极区（8）的凹槽（14）剩余部分。
2.根据权利要求1所述的高可靠性沟槽功率MOS晶体管，其特征在于：所述P型基体层（2）与轻掺杂N型漂移层（3）的深度比为1：1.5~4。
3.根据权利要求1所述的高可靠性沟槽功率MOS晶体管，其特征在于：所述沟槽（5）延伸至轻掺杂N型漂移层（3）的上部。
4.根据权利要求1所述的高可靠性沟槽功率MOS晶体管，其特征在于：所述重掺杂P型植入区（9）与重掺杂N型源极区（8）的深度比为10：6~8。
5.根据权利要求1所述的高可靠性沟槽功率MOS晶体管，其特征在于：所述凹槽（14）的开口宽度大于底部的宽度。
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