[实用新型]功率MOSFET器件

说明书

本实用新型公开一种功率MOSFET器件，包括：P型基体层、轻掺杂N型漂移层和重掺杂N型衬底层，沟槽内具有一栅极多晶硅部，此栅极多晶硅部与沟槽之间通过一栅极氧化隔离层，位于所述P型基体层上部且在沟槽周边具有一重掺杂N型源极区，一重掺杂P型植入区位于重掺杂N型源极区外侧周边并在竖直方向延伸至重掺杂N型源极区下方，所述重掺杂P型植入区在水平且朝向沟槽方向延伸至重掺杂N型源极区正下方，所述重掺杂P型植入区与沟槽之间且位于重掺杂N型源极区下方的区域作为通道区；一源极金属层覆盖于重掺杂N型源极区和重掺杂P型植入区上表面。本实用新型功率MOSFET器件在处于反偏压时，有助于让漏电流远离通道区，避免器件过早发生崩溃现象，进而增加器件的强健性。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种功率MOSFET器件。

背景技术

功率金属氧化物半导体场效应晶体管已被广泛使用在许多的应用上，例如分离组件、光电子组件、电源控制组件、直流对直流转换器与马达驱动等。在上述该些应用中所使用的该功率金属氧化物半导体场效应晶体管皆需要一个特殊的击穿电压、低导通电阻、高开关切换速度、与广大的安全操作区域。现有功率MOS器件容易过早发生崩溃现象。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种功率MOSFET器件，该功率MOSFET器件在处于反偏压时，有助于让漏电流远离通道区，避免器件过早发生崩溃现象，进而增加器件的强健性。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种功率MOSFET器件，包括：位于N型硅片本体上部的P型基体层、位于N型硅片本体中部的轻掺杂N型漂移层、位于N型硅片本体下部的重掺杂N型衬底层，位于P型基体层中的沟槽从P型基体层上表面延伸至轻掺杂N型漂移层内，此沟槽内具有一栅极多晶硅部，此栅极多晶硅部与沟槽之间通过一栅极氧化隔离层；

位于所述P型基体层上部且在沟槽周边具有一重掺杂N型源极区，一重掺杂P型植入区位于重掺杂N型源极区外侧周边并在竖直方向延伸至重掺杂N型源极区下方，所述重掺杂P型植入区在水平且朝向沟槽方向延伸至重掺杂N型源极区正下方，所述重掺杂P型植入区与沟槽之间且位于重掺杂N型源极区下方的区域作为通道区；

所述沟槽和栅极多晶硅部上表面覆盖有一绝缘介质层，一漏极金属层位于重掺杂N型衬底层与轻掺杂N型漂移层相背的表面，一源极金属层覆盖于重掺杂N型源极区和重掺杂P型植入区上表面。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1. 上述方案中，所述栅极氧化隔离层为二氧化硅层。

2. 上述方案中，所述P型基体层与轻掺杂N型漂移层的深度比为1：1.5~4。

3. 上述方案中，所述P型基体层为中掺杂P型基体层。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

本实用新型功率MOSFET器件，其重掺杂P型植入区位于重掺杂N型源极区外侧周边并在竖直方向延伸至重掺杂N型源极区下方，所述重掺杂P型植入区在水平且朝向沟槽方向延伸至重掺杂N型源极区正下方，所述重掺杂P型植入区与沟槽之间且位于重掺杂N型源极区下方的区域作为通道区，在处于反偏压时，有助于让漏电流远离通道区，避免器件过早发生崩溃现象，进而增加器件的强健性。

附图说明

附图1为本实用新型功率MOSFET器件的结构示意图。

以上附图中：1、N型硅片本体；2、P型基体层；3、轻掺杂N型漂移层；4、重掺杂N型衬底层；5、沟槽；6、栅极多晶硅部；7、栅极氧化隔离层；8、重掺杂N型源极区；9、重掺杂P型植入区；10、通道区；11、绝缘介质层；12、漏极金属层；13、源极金属层。

具体实施方式