[实用新型]一种MOS管高压供电控制电路

说明书

本实用新型提供一种MOS管高压供电控制电路，输入端VCC1均与二极管D1的负极、电阻R1的一端和MOS管Q1的源极连接，二极管D1的正极均与电阻R1的另一端、电阻R2的一端和MOS管Q1的栅极连接，MOS管Q1的漏极均与电阻R5的一端和输出端VCC2连接，电阻R5的另一端接地，电阻R2的另一端与MOS管Q2的漏极连接，MOS管Q2的栅极均与电阻R3的一端和电阻R4的一端连接，电阻R3的另一端与Port1端口连接，电阻R4的另一端和MOS管Q2的源极均接地，Port1端口用于向电路输入控制信号。本实用新型解决了目前在高频电路中使用继电器控制电源，有比较大的电磁辐射，影响高接收灵敏度电路的正常工作；继电器体积较大，不便于使用；继电器控制速度不能满足时分复用系统对开关速度的要求的问题。

技术领域

本实用新型涉及电子电路技术领域，更具体地涉及一种MOS管高压供电控制电路。

背景技术

某些电路中需要对高压电源进行控制，降低系统功耗，或者满足电路上电时序的要求。目前在高频电路中，继电器控制电源的方式会有比较大的电磁辐射，影响高接收灵敏度电路的正常工作。继电器体积较大，不便于在非常小体积的系统中使用。继电器控制速度较慢，不能满足时分复用系统对开关速度的要求。因此，有必要提供一种MOS管高压供电控制电路，以克服上述问题。

实用新型内容

本实用新型提供了一种MOS管高压供电控制电路，以解决目前在高频电路中，继电器控制电源的方式会有比较大的电磁辐射，影响高接收灵敏度电路的正常工作；继电器体积较大，不便于在非常小体积的系统中使用；继电器控制速度较慢，不能满足时分复用系统对开关速度的要求的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：一种MOS管高压供电控制电路，包括电源的输入端VCC1、输出端VCC2、Port1端口、二极管D1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、MOS管Q1和MOS管Q2，输入端VCC1均与二极管D1的负极、电阻R1的一端和MOS管Q1的源极连接，二极管D1的正极均与电阻R1的另一端、电阻R2的一端和MOS管Q1的栅极连接，MOS管Q1的漏极均与电阻R5的一端和输出端VCC2连接，电阻R5的另一端接地，电阻R2的另一端与MOS管Q2的漏极连接，MOS管Q2的栅极均与电阻R3的一端和电阻R4的一端连接，电阻R3的另一端与Port1端口连接，电阻R4的另一端和MOS管Q2的源极均接地，Port1端口用于向电路输入控制信号。

优选地，MOS管Q1为P型电力场效应晶体管。

优选地，MOS管Q2为N型金氧半场效晶体管。

优选地，二极管D1为稳压二极管。

优选地，电阻R1和电阻R2均为可调电阻。

优选地，二极管D1的型号为二极管的钳位电压低于20V的型号。

Port1端口为通信设备的信号输出端口。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：本实用新型的MOS管高压供电控制电路，使用MOS管构建电路，响应速度快，可以达到10us级，转换速度能满足绝大部分时分系统要求。MOS管成本比电磁继电器成本低。加入电阻R2，提高了MOS管Q1的控制电平范围，能满足输入电源超过20V的情况下，绝大部分MOS管V_GS电压必须低于20V的限制。通过调整电阻R1和电阻R2的阻值，可以让输入端VCC1的输入电压在MOS管的V_GSth到V_DS最大值范围内使用。D1二极管的钳位电压选择低于20V的型号，能更好的保护Q1场效应管。当MOS管Q1的V_GS达到D1二极管钳位电压时，二极管D1导通，保证V_GS电压低于20V。

附图说明

图1为本实用新型的一种MOS管高压供电控制电路的电路示意图。

图2为实施例二的稳压电路的电路示意图。