[实用新型]一种MOS管高压供电控制电路有效
申请号: | 202022533877.0 | 申请日: | 2020-11-05 |
公开(公告)号: | CN213637497U | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 艾江福 | 申请(专利权)人: | 成都新息科技有限公司 |
主分类号: | H02M3/157 | 分类号: | H02M3/157 |
代理公司: | 成都嘉企源知识产权代理有限公司 51246 | 代理人: | 胡建超 |
地址: | 610000 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mos 高压 供电 控制电路 | ||
1.一种MOS管高压供电控制电路,其特征在于,包括电源的输入端VCC1、输出端VCC2、Port1端口、二极管D1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、MOS管Q1和MOS管Q2,输入端VCC1均与二极管D1的负极、电阻R1的一端和MOS管Q1的源极连接,二极管D1的正极均与电阻R1的另一端、电阻R2的一端和MOS管Q1的栅极连接,MOS管Q1的漏极均与电阻R5的一端和输出端VCC2连接,电阻R5的另一端接地,电阻R2的另一端与MOS管Q2的漏极连接,MOS管Q2的栅极均与电阻R3的一端和电阻R4的一端连接,电阻R3的另一端与Port1端口连接,电阻R4的另一端和MOS管Q2的源极均接地,Port1端口用于向电路输入控制信号。
2.如权利要求1所述的一种MOS管高压供电控制电路,其特征在于,MOS管Q1为P型电力场效应晶体管。
3.如权利要求1所述的一种MOS管高压供电控制电路,其特征在于,MOS管Q2为N型金氧半场效晶体管。
4.如权利要求1所述的一种MOS管高压供电控制电路,其特征在于,二极管D1为稳压二极管。
5.如权利要求1所述的一种MOS管高压供电控制电路,其特征在于,电阻R1和电阻R2均为可调电阻。
6.如权利要求1所述的一种MOS管高压供电控制电路,其特征在于,二极管D1的型号为二极管的钳位电压低于20V的型号。
7.如权利要求1所述的一种MOS管高压供电控制电路,其特征在于,Port1端口为通信设备的信号输出端口。
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