[实用新型]一种MOS管高压供电控制电路有效

专利信息
申请号: 202022533877.0 申请日: 2020-11-05
公开(公告)号: CN213637497U 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 艾江福 申请(专利权)人: 成都新息科技有限公司
主分类号: H02M3/157 分类号: H02M3/157
代理公司: 成都嘉企源知识产权代理有限公司 51246 代理人: 胡建超
地址: 610000 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 mos 高压 供电 控制电路
【权利要求书】:

1.一种MOS管高压供电控制电路,其特征在于,包括电源的输入端VCC1、输出端VCC2、Port1端口、二极管D1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、MOS管Q1和MOS管Q2,输入端VCC1均与二极管D1的负极、电阻R1的一端和MOS管Q1的源极连接,二极管D1的正极均与电阻R1的另一端、电阻R2的一端和MOS管Q1的栅极连接,MOS管Q1的漏极均与电阻R5的一端和输出端VCC2连接,电阻R5的另一端接地,电阻R2的另一端与MOS管Q2的漏极连接,MOS管Q2的栅极均与电阻R3的一端和电阻R4的一端连接,电阻R3的另一端与Port1端口连接,电阻R4的另一端和MOS管Q2的源极均接地,Port1端口用于向电路输入控制信号。

2.如权利要求1所述的一种MOS管高压供电控制电路,其特征在于,MOS管Q1为P型电力场效应晶体管。

3.如权利要求1所述的一种MOS管高压供电控制电路,其特征在于,MOS管Q2为N型金氧半场效晶体管。

4.如权利要求1所述的一种MOS管高压供电控制电路,其特征在于,二极管D1为稳压二极管。

5.如权利要求1所述的一种MOS管高压供电控制电路,其特征在于,电阻R1和电阻R2均为可调电阻。

6.如权利要求1所述的一种MOS管高压供电控制电路,其特征在于,二极管D1的型号为二极管的钳位电压低于20V的型号。

7.如权利要求1所述的一种MOS管高压供电控制电路,其特征在于,Port1端口为通信设备的信号输出端口。

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