[实用新型]便携式超声直流电脉冲离子导入治疗仪

权利要求书

1.便携式超声直流电脉冲离子导入治疗仪，其特征在于，包括：电池、控制板、底板、PET按键、以及治疗头，其中：电池正负极通过导线及端子连接器接入底板，控制板通过两侧的单排插针与底板上的排母连接，PET按键的信号线通过排针接于控制板，治疗头由超声换能片和不锈钢碗组成，超声换能片置于不锈钢碗中间，二者采用绝缘胶粘合连接，治疗头引出线接于底板。

2.根据权利要求1所述的便携式超声直流电脉冲离子导入治疗仪，其特征在于，所述控制板为矩形电路板，电路板两侧各设有单排插针用于与底板排母相连，控制板还包括主控芯片以及分别与主控芯片相连的显示屏、储存单元、音频芯片、字库芯片以及用于接入按键的按键接口；主控芯片的音频信号管脚通过排针与置于底板的音频芯片相连，信号经放大处理后，由底板引出接线端子与扬声器连接。

3.根据权利要求1所述的便携式超声直流电脉冲离子导入治疗仪，其特征在于，所述底板包括：从芯片、DC充电接口、充电电路、放电电路、变压器、电脉冲驱动电路、超声波驱动电路、第一稳压器组、第二稳压器组、震荡电路、电压调节电路、恒流源电路、继电器以及光耦合器，其中：

DC充电接口连接二极管D1的输入，充电电路的输入端连接二极管D1的输出，充电电路的输出端与放电电路的输入端之间通过电池接地，放电电路的输入端通过第一稳压器组连接控制板的主控芯片的电源引脚VCC，放电电路的输出端依次通过变压器以及第二稳压器组连接从芯片的电源引脚VCC，从芯片的第一控制引脚PWM输出至震荡电路驱动超声波输出，电脉冲驱动电路的输入分别通过电压调节电路连接从芯片的第二控制引脚PWM、通过恒流源电路连接从芯片的数模DA引脚，电脉冲驱动电路的输出通过继电器连接控制板的主控芯片，从芯片通过光耦合器与控制板的主控芯片相连。

4.根据权利要求3所述的便携式超声直流电脉冲离子导入治疗仪，其特征在于，所述充电电路包括：二极管D1的输出端作为充电电路的输入端并通过电解电容C6接地；充电芯片的DCIN引脚连接二极管D1的输出端；充电芯片的CHG引脚通过电阻R1连接接二极管D1的输出端；充电芯片的NTC引脚依次通过电阻R3和电阻R2连接二极管D1的输出端，电阻R2和电阻R3之间通过电容C1接地；充电芯片的RT引脚通过电阻R4接地；充电芯片的ITH引脚依次通过电阻R5以及电容C2接地；充电芯片的INFET引脚连接MOSFET管M1的栅极，MOSFET管M1的漏极连接二极管D1的输出端，MOSFET管M1的源极连接MOSFET管M2的源极；充电芯片的CLP引脚通过电阻R6连接MOSFET管M2的源极；充电芯片的CLN引脚通过电阻R7连接MOSFET管M2的源极，充电芯片的CLP引脚与充电芯片的CLN引脚之间接有电容C3，MOSFET管M2的源极通过电容C4接地；充电芯片的TGATE引脚连接MOSFET管M2的栅极，MOSFET管M2的漏极连接MOSFET管M3的漏极；充电芯片的BGATE引脚连接MOSFET管M3的栅极，MOSFET管M3的源极接地；充电芯片的CSP引脚通过电感L1连接MOSFET管M3的漏极；充电芯片的BAT引脚依次通过电阻R8、电感L1连接MOSFET管M3的漏极；MOSFET管M3的漏极通过二极管D2接地；充电芯片的BAT引脚作为充电电路的输出端分别通过电解电容C7、电容C5、锂电池接地。

5.根据权利要求3所述的便携式超声直流电脉冲离子导入治疗仪，其特征在于，所述放电电路包括：MOSFET管M4的漏极作为放电电路的输入端并通过电阻R9连接MOSFET管M4的栅极；MOSFET管M5的栅极分别连接电阻R10和电阻R11，并通过电阻R11接地，MOSFET管M5的源极接地，MOSFET管M5的漏极连接MOSFET管M4的栅极，MOSFET管M4的源极作为放电电路的第一输出端与变压器相连，MOSFET管M5的栅极通过电阻R10后作为放电电路的第二输出端连接控制板的主控芯片IO引脚；主控芯片IO引脚控制M5导通，从而驱动M4导通将电源输出。