[实用新型]一种晶舟

说明书

本实用新型涉及一种晶舟，包括底座和垂直设置于所述底座上的支撑架，所述支撑架上沿其延伸方向间隔设置有多个用于承载硅片的承载结构，所述承载结构包括多个用于支撑于硅片的边缘的凸出部，还包括多个辅助支撑部，每个所述辅助支撑部与对应的所述承载结构相配合以共同支撑同一硅片，所述辅助支撑部能够支撑于硅片的中心，所述辅助支撑部与每个所述承载结构中的任一个所述凸出部远离所述支撑架的一端连接，或者所述辅助支撑部连接于所述支撑架上。

技术领域

本实用新型涉及硅片产品制作技术领域，尤其涉及一种晶舟。

背景技术

在直拉(CZ)硅单晶的生长过程中，由于石英坩埚的溶解，导致在硅单晶中存在一定浓度的氧，氧杂质的存在不但能大大提高硅片的机械强度，而且在退火过程中能在硅片体内生成大量的氧沉淀和诱生缺陷等体缺陷(BMD)，从而有效地吸除硅片表面的金属杂质，提高集成电路的成品率。硅片的内吸杂工艺可以是高-低-高退火、低-高、或者低-高-高退火等，这主要取决于器件热处理的工艺，即在器件制造的同时又能在硅片体内形成大量BMD，并且在硅片表面形成洁净区(DZ)。且硅片在氢或氩气中进行高温退火,会加速硅中氧的外扩散,在硅片表面能形成一层低氧洁净区,极大地减少了与氧有关的缺陷。

近年来，为了进一步提高硅片的使用率，硅片的直径越来越大，300mm的硅片早已经开始大规模的生产，450mm的硅片也已经问世，并逐渐进入人们的视野中。硅片直径的增大对于制造行业来说，成本增加的同时制备难度极大的增加，比如硅片热处理领域。在硅片热处理过程中，由于要求极高的洁净度，所以使用高纯石英制成硅片的承载部件——晶舟，但是相关技术中，晶舟只是对于硅片的边缘进行支撑，随着硅片直径的增大，硅片自身重力的作用加大，硅片会在重力的作用下发生变形翘曲，且高温下，硅片的杨氏模量减小，变形量增大。在硅片的热处理过程中，当变形量超过硅片塑性变形极限时，会造成变形的不可逆，容易造成硅片的破碎，硅屑在气流的作用下，污染其他硅片，最终导致极大的品质损失；且破碎的硅片掉落极易损坏晶舟等设备部件，造成极大的成本损失。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种晶舟，解决硅片尺寸较大时，承载于晶舟上，由于自身重力作用容易形变甚至破碎的问题。

为了达到上述目的，本实用新型实施例采用的技术方案是：一种晶舟，包括底座和垂直设置于所述底座上的支撑架，所述支撑架上沿其延伸方向间隔设置有多个用于承载硅片的承载结构，所述承载结构包括多个用于支撑于硅片的边缘的凸出部，还包括多个辅助支撑部，每个所述辅助支撑部与对应的所述承载结构相配合以共同支撑同一硅片，所述辅助支撑部能够支撑于硅片的中心，所述辅助支撑部与每个所述承载结构中的任一个所述凸出部远离所述支撑架的一端连接，或者所述辅助支撑部连接于所述支撑架上。

可选的，所述辅助支撑部包括与所述底座相平行设置的支撑杆，所述支撑杆的第一端固定于所述支撑架上，或者固定于一所述凸出部上，所述支撑杆与所述第一端相对设置的第二端设置有垂直于所述支撑杆设置的第一支撑柱，所述第一支撑柱能够支撑于硅片的中心。

可选的，所述支撑杆在垂直于其延伸方向上的宽度为10-15mm。

可选的，所述第一支撑柱的端面直径为2-5mm。

可选的，所述凸出部在垂直于所述底座方向上的截面为梯形，所述凸出部远离所述底座的第一面为斜面，且所述凸出部靠近所述支撑架的一端到所述底座之间的第一距离大于所述凸出部远离所述支撑架的一端到所述底座之间的第二距离。

可选的，所述第一面的倾斜角度为1-3度。

可选的，所述支撑架包括至少3个垂直于所述底座设置的第二支撑柱，每个所述第二支撑柱到所述底座的中心的距离相同。

可选的，每个所述第二支撑柱到所述底座的中心的最小距离大于硅片的半径。