[实用新型]一种晶舟有效
| 申请号: | 202022505172.8 | 申请日: | 2020-11-03 |
| 公开(公告)号: | CN213026072U | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
| 发明(设计)人: | 李亮亮 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;C30B29/06;C30B33/02 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;张博 |
| 地址: | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 | ||
1.一种晶舟,包括底座和垂直设置于所述底座上的支撑架,所述支撑架上沿其延伸方向间隔设置有多个用于承载硅片的承载结构,所述承载结构包括多个用于支撑于硅片的边缘的凸出部,其特征在于,还包括多个辅助支撑部,每个所述辅助支撑部与对应的所述承载结构相配合以共同支撑同一硅片,所述辅助支撑部能够支撑于硅片的中心,所述辅助支撑部与每个所述承载结构中的任一个所述凸出部远离所述支撑架的一端连接,或者所述辅助支撑部连接于所述支撑架上。
2.根据权利要求1所述的晶舟,其特征在于,所述辅助支撑部包括与所述底座相平行设置的支撑杆,所述支撑杆的第一端固定于所述支撑架上,或者固定于一所述凸出部上,所述支撑杆与所述第一端相对设置的第二端设置有垂直于所述支撑杆设置的第一支撑柱,所述第一支撑柱能够支撑于硅片的中心。
3.根据权利要求2所述的晶舟,其特征在于,所述支撑杆在垂直于其延伸方向上的宽度为10-15mm。
4.根据权利要求2所述的晶舟,其特征在于,所述第一支撑柱的端面直径为2-5mm。
5.根据权利要求2所述的晶舟,其特征在于,所述凸出部在垂直于所述底座方向上的截面为梯形,所述凸出部远离所述底座的第一面为斜面,且所述凸出部靠近所述支撑架的一端到所述底座之间的第一距离大于所述凸出部远离所述支撑架的一端到所述底座之间的第二距离。
6.根据权利要求5所述的晶舟,其特征在于,所述第一面的倾斜角度为1-3度。
7.根据权利要求2所述的晶舟,其特征在于,所述支撑架包括至少3个垂直于所述底座设置的第二支撑柱,每个所述第二支撑柱到所述底座的中心的距离相同。
8.根据权利要求7所述的晶舟,其特征在于,每个所述第二支撑柱到所述底座的中心的最小距离大于硅片的半径。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





