[实用新型]一种单晶硅片厚度测量装置及包括该测量装置的脱胶机有效
| 申请号： | 202022461891.4 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN213984858U | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 张悦;史丹梅;柴晋;刘超;郭嘉;李方乐;辛超;陈佩璐 | 申请（专利权）人： | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
| 主分类号： | G01B5/06 | 分类号： | G01B5/06 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 厚度 测量 装置 包括 脱胶 | ||
1.一种单晶硅片厚度测量装置，其特征在于，包括：
本体；
在所述本体上设有若干用于测量硅片厚度的凹槽；
其中，所述凹槽被设于所述本体上端面，且所述凹槽上端面和至少一侧端面为开口朝外设置；所述凹槽宽度互不相同；所述凹槽宽度不小于被切硅棒两个端部所述硅片厚度之和的最小值且不大于所述硅棒两个端部所述硅片厚度之和的最大值。
2.根据权利要求1所述的一种单晶硅片厚度测量装置，其特征在于，所述凹槽深度不小于所述本体高度的1/3且不大于所述本体高度的2/3。
3.根据权利要求2所述的一种单晶硅片厚度测量装置，其特征在于，所述凹槽深度均相同且不大于10mm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种单晶硅片厚度测量装置，其特征在于，所述凹槽沿所述本体长度并排且间隔设置，所述凹槽间隔距离至少为10mm。
5.根据权利要求4所述的一种单晶硅片厚度测量装置，其特征在于，所述凹槽轴线与所述本体轴线交叉设置。
6.根据权利要求5所述的一种单晶硅片厚度测量装置，其特征在于，所述凹槽轴线垂直于所述本体长度且贯穿所述本体宽度设置。
7.根据权利要求1-3、5-6任一项所述的一种单晶硅片厚度测量装置，其特征在于，所述凹槽宽度从所述本体一端逐步增大且相邻所述凹槽宽度之差不大于1mm；所述凹槽侧壁并行且均垂直于所述本体上端面设置。
8.根据权利要求7所述的一种单晶硅片厚度测量装置，其特征在于，所述本体横截面为矩形、梯形或多边形，且其上端面的宽度不大于其下端面的宽度。
9.一种脱胶机，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的测量装置，所述测量装置被置于靠近脱胶机下料口一端，且沿所述脱胶机侧壁或端壁并行设置。
10.根据权利要求9所述的一种脱胶机，其特征在于，所述凹槽开口一侧远离所述脱胶机侧壁或端壁设置；所述本体距离所述脱胶机侧壁或端壁有一定距离。
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