[实用新型]用于PECVD设备的配套供应系统有效
申请号: | 202022452258.9 | 申请日: | 2020-10-29 |
公开(公告)号: | CN213570729U | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 左国军;梁建军;柳昆鹏 | 申请(专利权)人: | 常州捷佳创精密机械有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;F25D17/02;H01L31/18 |
代理公司: | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 尚志峰;王淑梅 |
地址: | 213133 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 pecvd 设备 配套 供应 系统 | ||
本实用新型提供了一种用于PECVD设备的配套供应系统,用于PECVD设备的配套供应系统包括循环水管路系统,循环水管路系统包括:进水管路装置,进水管路装置与腔体和/或设备组件连通;出水管路装置,出水管路装置与腔体和/或设备组件连通;其中,进水管路装置能够将冷却水输入腔体和/或设备组件以实现对PECVD设备的冷却降温功能。本实用新型的技术方案中,由于进水管路装置能够向PECVD设备的腔体和/或设备组件内输入冷却水,这样能够对PECVD设备进行整体地冷却降温,从而使得PECVD设备中需要降温的腔体和/或设备组件得到良好的降温,避免了PECVD设备超温工作而发生运行故障的问题,进而确保PECVD设备能够正常地工作。
技术领域
本实用新型涉及PECVD设备技术领域,具体而言,涉及一种用于PECVD设备的配套供应系统。
背景技术
目前,因太阳能电池工艺HIT技术中的镀膜工序需要使用PECVD设备,PECVD设备在工作的过程中,其设备组件会发热需要降温,另外因工艺需要镀膜用的腔体需要加热,这样腔体也需降温。PECVD设备长期在超出工作温度的状态下运行容易产生运行故障,因此亟待开发一种PECVD设备的配套供应系统,用于PECVD设备的降温。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。
为此,本实用新型的一个目的在于提供一种用于PECVD设备的配套供应系统。
为了实现上述目的,本实用新型的实施例提供了一种用于PECVD设备的配套供应系统,PECVD设备包括腔体和设置在腔体上的设备组件,用于PECVD设备的配套供应系统包括循环水管路系统,循环水管路系统包括:进水管路装置,进水管路装置与腔体和/或设备组件连通;出水管路装置,出水管路装置与腔体和/或设备组件连通;其中,进水管路装置能够将冷却水输入腔体和/或设备组件以实现对PECVD设备的冷却降温功能。
在该技术方案中,由于进水管路装置能够向PECVD设备的腔体和/或设备组件内输入冷却水,这样能够对PECVD设备进行整体地冷却降温,从而使得PECVD设备中需要降温的腔体和/或设备组件得到良好的降温,避免了PECVD设备超温工作而发生运行故障的问题,进而确保PECVD设备能够正常地工作。
另外,本实用新型提供的上述实施例中的用于PECVD设备的配套供应系统还可以具有如下附加技术特征:
在上述技术方案中,腔体包括工艺腔和与工艺腔连通的输送腔,设备组件包括真空泵和工艺腔处理设备,真空泵通过连通管路与工艺腔和工艺腔连通,工艺腔处理设备设置在工艺腔上,进水管路装置和出水管路装置均与输送腔和/或工艺腔处理设备和/或真空泵连通。
在该技术方案中,通过进水管路装置能够向PECVD设备的输送腔、工艺腔处理设备和真空泵通入冷却水,这样对输送腔、工艺腔处理设备和真空泵进行冷却,从而实现配套供应系统对PECVD设备的整体降温,进而确保PECVD设备能够正常地工作。
在上述任一技术方案中,进水管路装置包括:主进水管路;第一支进水管路,第一支进水管路的一端与主进水管路连通,第一支进水管路的另一端与输送腔连通;第二支进水管路,第二支进水管路的一端与主进水管路连通,第二支进水管路的另一端与工艺腔处理设备连通;第三支进水管路,第三支进水管路的一端与主进水管路连通,第三支进水管路的另一端与真空泵连通。
在该技术方案中,通过第一支进水管路能够将冷却水从主进水管路输入到输送腔内,以冷却输送腔,通过第二支进水管路能够将冷却水从主进水管路输入到工艺腔处理设备内,以冷却工艺腔处理设备,通过第三支进水管路能够将冷却水从主进水管路输入到真空泵内,以冷却真空泵,从而实现配套供应系统对PECVD设备的整体降温,进而确保PECVD设备能够正常地工作。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的