[实用新型]用于PECVD设备的配套供应系统有效
申请号: | 202022452258.9 | 申请日: | 2020-10-29 |
公开(公告)号: | CN213570729U | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 左国军;梁建军;柳昆鹏 | 申请(专利权)人: | 常州捷佳创精密机械有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;F25D17/02;H01L31/18 |
代理公司: | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 尚志峰;王淑梅 |
地址: | 213133 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 pecvd 设备 配套 供应 系统 | ||
1.一种用于PECVD设备的配套供应系统,所述PECVD设备包括腔体(102)和设置在所述腔体(102)上的设备组件(104),其特征在于,所述用于PECVD设备的配套供应系统包括循环水管路系统(10),所述循环水管路系统(10)包括:
进水管路装置(12),所述进水管路装置(12)与所述腔体(102)和/或所述设备组件(104)连通;
出水管路装置(14),所述出水管路装置(14)与所述腔体(102)和/或所述设备组件(104)连通;
其中,所述进水管路装置(12)能够将冷却水输入所述腔体(102)和/或所述设备组件(104)以实现对所述PECVD设备的冷却降温功能。
2.根据权利要求1所述的用于PECVD设备的配套供应系统,其特征在于,所述腔体(102)包括工艺腔(1022)和与所述工艺腔(1022)连通的输送腔(1024),所述设备组件(104)包括真空泵(1042)和工艺腔处理设备(1044),所述真空泵(1042)设置在所述工艺腔(1022)和所述工艺腔(1022)上,所述真空泵(1042)通过连通管路与所述工艺腔(1022)和所述工艺腔(1022)连通,所述工艺腔处理设备(1044)设置在所述工艺腔(1022)上,所述进水管路装置(12)和出水管路装置(14)均与所述输送腔(1024)和/或所述工艺腔处理设备(1044)和/或所述真空泵(1042)连通。
3.根据权利要求2所述的用于PECVD设备的配套供应系统,其特征在于,所述进水管路装置(12)包括:
主进水管路(122);
第一支进水管路(124),所述第一支进水管路(124)的一端与所述主进水管路(122)连通,所述第一支进水管路(124)的另一端与所述输送腔(1024)连通;
第二支进水管路(126),所述第二支进水管路(126)的一端与所述主进水管路(122)连通,所述第二支进水管路(126)的另一端与所述工艺腔处理设备(1044)连通;
第三支进水管路(128),所述第三支进水管路(128)的一端与所述主进水管路(122)连通,所述第三支进水管路(128)的另一端与所述真空泵(1042)连通。
4.根据权利要求2所述的用于PECVD设备的配套供应系统,其特征在于,所述出水管路装置(14)包括:
主出水管路(142);
第一支出水管路(144),所述第一支出水管路(144)的一端与所述主出水管路(142)连通,所述第一支出水管路(144)的另一端与所述输送腔(1024)连通;
第二支出水管路(146),所述第二支出水管路(146)的一端与所述主出水管路(142)连通,所述第二支出水管路(146)的另一端与所述工艺腔处理设备(1044)连通;
第三支出水管路(148),所述第三支出水管路(148)的一端与所述主出水管路(142)连通,所述第三支出水管路(148)的另一端与所述真空泵(1042)连通。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的用于PECVD设备的配套供应系统,其特征在于,所述PECVD设备还包括控制阀组件,所述用于PECVD设备的配套供应系统还包括充气管路系统(20),所述充气管路系统(20)包括第一充气管路装置(22)和第二充气管路装置(24),所述第一充气管路装置(22)用于为所述控制阀组件提供驱动气源,所述第二充气管路装置(24)用于将氮气输入到所述设备组件(104)的真空泵(1042)和所述腔体(102)内。
6.根据权利要求5所述的用于PECVD设备的配套供应系统,其特征在于,所述第一充气管路装置(22)包括:
第一充气管路(222);
压缩空气分气块(224),所述压缩空气分气块(224)与所述第一充气管路(222)的输出端连接;
压缩空气进气球阀(226),所述压缩空气进气球阀(226)设置在所述第一充气管路(222)上;
过滤调压阀(227),所述过滤调压阀(227)设置在所述第一充气管路(222)上,且位于所述压缩空气分气块(224)和所述压缩空气进气球阀(226)之间。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的