[实用新型]大尺寸N型单晶HBC太阳能电池的电极结构有效
| 申请号: | 202022393447.3 | 申请日: | 2020-10-23 |
| 公开(公告)号: | CN213905367U | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
| 发明(设计)人: | 解观超;张小明;吴智涵;盛健 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/0747 |
| 代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 高文龙 |
| 地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 尺寸 型单晶 hbc 太阳能电池 电极 结构 | ||
本实用新型公开了大尺寸N型单晶HBC太阳能电池的电极结构,该电极结构包括两个独立的电极单元,两个电极单元沿电池片的中心线左右对称分布,两个电极单元之间具有间距δ,所述电极单元由主栅和垂直主栅并且与主栅电连接的副栅组成。该电极结构能够解决大尺寸太阳能电池光生电流传输距离长的问题,从而降低串联电阻损失。
技术领域
本实用新型涉及电池结构,具体是指大尺寸N型单晶HBC太阳能电池的电极结构。
背景技术
在应对全球能源资源短缺、气候变暖和人类生态环境恶化的危机中,越来越多的国家开始实行“阳光计划”,开发和应用无污染可再生的太阳能资源。其中尤以光伏发电的发展最为快速,太阳能电池是光伏发电的核心,可以直接将太阳能转化为人类使用的电能。太阳能电池上发出的电能通过电池上的电极导出最终传输到用电端。
现有大尺寸N型单晶HBC太阳能电池的电极结构设计,通常主栅线数量小于等于两根,副栅的长度接近电池片的边长,没有从中间断开,分为两部分。
上述结构设计存在如下缺陷:
(1)副栅长度过长,光生电流传输距离远,导致串联电阻增大;
(2)副栅长度过长,印刷过程如果出现断栅、漏印等问题,导致串联电阻增大;
(2)现有电极结构,不支持将电池片切片,分割为两个半片电池。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供大尺寸N型单晶HBC太阳能电池的电极结构,该电极结构能够解决大尺寸太阳能电池光生电流传输距离长的问题,从而降低串联电阻损失。
本实用新型的这一目的通过如下技术方案来实现的:大尺寸N型单晶HBC太阳能电池的电极结构,其特征在于:所述电极结构包括两个独立的电极单元,两个电极单元沿电池片的中心线左右对称分布,两个电极单元之间具有间距δ,所述电极单元由主栅和垂直主栅并且与主栅电连接的副栅组成。
本实用新型的电极结构从中间断开,采用两个相互独立的电极单元,不但解决了大尺寸太阳能电池光生电流传输距离长的问题,降低串联电阻损失,而且解决了印刷过程中断栅、漏印等问题,导致串联电阻变大的问题。同时,该电极结构可以将电池片沿中心轴线切成两个半片,再将半片串联焊接制作成组件,解决了大尺寸电池片在组件加工制造过程中碎片率高的问题、以及太阳能电池组件电流高,电压低的问题。
本实用新型中,每一个电极单元的主栅均为结构相同的两根,为第一主栅和第二主栅,第一主栅和第二主栅均焊接在电池片上;每一个电极单元的副栅均为结构相同的多根,其中,一端与所述第一主栅相连接、另一端与所述第二主栅之间设有距离d的副栅为p组副栅,一端与所述第二主栅相连接、另一端与所述第一主栅之间设有距离d的副栅为n组副栅,p组副栅的数量为N,n组副栅的数量为M,M=N或M=N-1,p组副栅与n组副栅交错分布。
本实用新型中,所述主栅的宽度为200-400um。
本实用新型中,所述第一主栅距离电池片边缘的距离为a,第一主栅的两个端点到电池片边缘的距离为b;所述第二主栅距离电池片中心线的距离为c;两个电极单元中,两根第二主栅之间的间距2c即等于所述两个电极单元之间的间距δ。
本实用新型中,a的范围为0.5-2mm;b的范围为0.5-2mm;c的范围为0.5-2mm。
本实用新型中,所述副栅的宽度为100-200um。
本实用新型中,d的范围为0.5-2mm,N的范围是100-200。
本实用新型中,所述多根p组副栅等间距分布,相邻的两根p组副栅之间的间距为2f,所述多根n组副栅也等间距分布,相邻的两根n组副栅之间的间距也为2f,相邻的p组副栅和n组副栅之间的间距为f,f的范围为0.3-1.0mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





