[实用新型]发光元件及具有此的显示装置有效
| 申请号: | 202022373742.2 | 申请日: | 2020-10-22 |
| 公开(公告)号: | CN212907741U | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
| 发明(设计)人: | 张钟敏;金彰渊 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/38;H01L33/42 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 全振永;李盛泉 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 元件 具有 显示装置 | ||
本实用新型公开一种发光元件及具有此的显示装置。发光元件包括:第一发光堆叠件;第二发光堆叠件;第三发光堆叠件;第一下部接触电极,欧姆接触于第一发光堆叠件;第二下部接触电极,欧姆接触于第二发光堆叠件的第二导电型半导体层;以及第三下部接触电极,欧姆接触于第三发光堆叠件的第二导电型半导体层,其中,第二发光堆叠件布置于第一发光堆叠件与第三发光堆叠件之间,第一下部接触电极布置于第一发光堆叠件与第二发光堆叠件之间,第二下部接触电极及第三下部接触电极布置于第二发光堆叠件与第三发光堆叠件之间,第一下部接触电极至第三下部接触电极利用透明导电性氧化物层形成,第二下部接触电极或第三下部接触电极比第一下部接触电极更厚。
技术领域
本公开涉及一种显示器用发光元件及具有此的LED显示装置。
背景技术
发光二极管作为无机光源,被多样地用于诸如显示装置、车辆用灯具、一般照明等的多种领域。发光二极管具有寿命长、功耗低且响应速度快的优点,因此正快速地替代现有光源。
另外,现有的发光二极管在显示装置中主要用作背光光源。但是,最近正在开发利用发光二极管来直接实现图像的LED显示器。
显示装置通常利用蓝色、绿色及红色的混合色实现多样的颜色。显示装置为了实现多样的图像而包括多个像素,各个像素具有蓝色、绿色及红色的子像素,并且通过这些子像素的颜色来确定特定像素的颜色,并且通过这些像素的组合来实现图像。
LED可以根据其材料发出多样的颜色的光,因此可以通过将发出蓝色、绿色及红色的单个LED芯片排列于二维平面上来提供显示装置。但是如果在各个子像素排列一个LED芯片,则LED芯片的数量增加,从而在贴装工序中花费很多时间。
由于将子像素排列在二维平面上,因此包括蓝色、绿色及红色子像素的一个像素占有的面积也相对变宽。因此,为了在有限的面积内排列子像素而需要减小每个LED芯片的面积。但是,减小LED芯片的尺寸的减小会使LED 芯片的贴装变得困难,进而导致发光面积减小并降低发光强度。
另外,实现多种颜色的显示装置需要一贯地提供高品质的白光。现有的 TV为了实现D65的标准白色光而使用了3:6:1的RGB混合比。即,比起蓝色的发光强度,红色的发光强度相对更高,并且绿色的发光强度相对最高。然而,由于当前使用的LED芯片相比于其他LED,其蓝色LED的发光强度通常相对较高,因此存在利用LED芯片的显示装置难以匹配RGB混合比的问题。
实用新型内容
本公开期望解决的技术问题在于提供一种能够在有限的像素面积内增加各个子像素的面积的显示装置。
本公开期望解决的又一技术问题在于提供一种能够缩短贴装工序时间的显示装置。
本公开期望解决的又一技术问题在于提供一种能够容易地控制RGB混合比的显示装置。
根据本公开的一实施例的发光元件包括:第一发光堆叠件,包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层;第二发光堆叠件,包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层;第三发光堆叠件,包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层;第一下部接触电极,欧姆接触于所述第一发光堆叠件;第二下部接触电极,欧姆接触于所述第二发光堆叠件的第二导电型半导体层;以及第三下部接触电极,欧姆接触于所述第三发光堆叠件的第二导电型半导体层,其中,所述第二发光堆叠件布置于所述第一发光堆叠件与第三发光堆叠件之间,所述第一下部接触电极布置于所述第一发光堆叠件与第二发光堆叠件之间,所述第二下部接触电极及第三下部接触电极布置于第二发光堆叠件与第三发光堆叠件之间,所述第一下部接触电极、第二下部接触电极及第三下部接触电极利用透明导电性氧化物层形成,所述第二下部接触电极或者第三下部接触电极比所述第一下部接触电极更厚。
另外,所述第一发光堆叠件可以发出红色光,所述第二发光堆叠件可以发出蓝色光,所述第三发光堆叠件可以发出绿色光。
在一实施例中,所述第二下部接触电极可以比所述第三下部接触电极更厚。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





