[实用新型]发光元件及具有此的显示装置有效
| 申请号: | 202022373742.2 | 申请日: | 2020-10-22 |
| 公开(公告)号: | CN212907741U | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
| 发明(设计)人: | 张钟敏;金彰渊 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/38;H01L33/42 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 全振永;李盛泉 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 元件 具有 显示装置 | ||
1.一种发光元件,其特征在于,包括:
第一发光堆叠件,包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层;
第二发光堆叠件,包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层;
第三发光堆叠件,包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层;
第一下部接触电极,欧姆接触于所述第一发光堆叠件;
第二下部接触电极,欧姆接触于所述第二发光堆叠件的第二导电型半导体层;以及
第三下部接触电极,欧姆接触于所述第三发光堆叠件的第二导电型半导体层,
其中,所述第二发光堆叠件布置于所述第一发光堆叠件与第三发光堆叠件之间,
所述第一下部接触电极布置于所述第一发光堆叠件与第二发光堆叠件之间,
所述第二下部接触电极及第三下部接触电极布置于第二发光堆叠件与第三发光堆叠件之间,
所述第一下部接触电极、第二下部接触电极及第三下部接触电极利用透明导电性氧化物层形成,
所述第二下部接触电极或者第三下部接触电极比所述第一下部接触电极更厚。
2.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
所述第一发光堆叠件发出红色光,所述第二发光堆叠件发出蓝色光,所述第三发光堆叠件发出绿色光。
3.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
所述第二下部接触电极比所述第三下部接触电极更厚。
4.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
所述第二下部接触电极或者第三下部接触电极包括为了欧姆接触于第二导电型半导体层而经过热处理的下部层及布置于所述下部层上并且不经过热处理而形成的上部层。
5.根据权利要求4所述的发光元件,其特征在于,
所述上部层比所述下部层更厚。
6.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
所述第一下部接触电极至第三下部接触电极是ITO系透明导电性氧化物层。
7.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
所述第一下部接触电极欧姆接触于所述第一发光堆叠件的第二导电型半导体层。
8.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,还包括:
第一连接电极,电连接于所述第一发光堆叠件;
第二连接电极,电连接于所述第二发光堆叠件;
第三连接电极,电连接于所述第三发光堆叠件;以及
第四连接电极,与所述第一发光堆叠件、第二发光堆叠件及第三发光堆叠件共同地电连接。
9.根据权利要求8所述的发光元件,其特征在于,
所述第四连接电极与所述第一发光堆叠件至第三发光堆叠件的第一导电型半导体层共同地电连接,
所述第一导电型半导体层是n型半导体层。
10.根据权利要求8所述的发光元件,其特征在于,还包括:
保护层,围绕所述第一连接电极至第四连接电极的至少一部分。
11.根据权利要求10所述的发光元件,其特征在于,
所述保护层包括环氧树脂模塑料或者聚酰亚胺膜,
所述保护层的上表面平行于所述第一连接电极至第四连接电极的下表面。
12.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,还包括:
基板,与所述第三发光堆叠件相邻地布置。
13.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,还包括:
第一粘合层,结合所述第一发光堆叠件和所述第二发光堆叠件;以及
第二粘合层,结合所述第二发光堆叠件和所述第三发光堆叠件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





