[实用新型]MEMS芯片

权利要求书

1.一种MEMS芯片，包括基底、设置在所述基底上的振膜和背极，其特征在于，

所述振膜包括两个导电区域，分别为振膜第一导电区域和振膜第二导电区域，并且所述振膜第一导电区域和振膜第二导电区域之间电性不导通；

所述背极包括至少两个导电区域，并且所述背极的导电区域之间彼此电性不导通；

所述振膜的导电区域与所述背极的导电区域之间电性导通。

2.如权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，

当所述背极包括三个导电区域时，所述背极的三个导电区域分别为背极第一导电区域、背极第二导电区域和背极第三导电区域；

所述振膜第一导电区域与所述背极第一导电区域之间电性不导通。

3.如权利要求2所述的MEMS芯片，其特征在于，

所述振膜第一导电区域与所述背极第二导电区域之间电性导通；以及，

所述振膜第二导电区域与所述背极第三导电区域之间电性导通。

4.如权利要求2所述的MEMS芯片，其特征在于，

所述振膜第一导电区域、所述振膜第二导电区域分别与所述背极第二导电区域电性导通；以及，

所述振膜第一导电区域、所述振膜第二导电区域分别与所述背极第三导电区域电性导通。

5.如权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，

当所述背极包括两个导电区域时，所述背极的两个导电区域分别为背极第一导电区域和背极第二导电区域；

所述振膜第一导电区域与所述背极第一导电区域之间电性不导通。

6.如权利要求5所述的MEMS芯片，其特征在于，

所述振膜第二导电区域与所述背极第二导电区域之间电性导通。

7.如权利要求5所述的MEMS芯片，其特征在于，

所述振膜第一导电区域、所述振膜第二导电区域分别与所述背极第二导电区域电性导通。

8.如权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，

所述振膜的导电区域与所述背极的导电区域通过导通孔或者导电材料或者导电连接层进行电性导通。

9.如权利要求1-8中任一项所述的MEMS芯片，其特征在于，

所述背极包括背极导电层和背极绝缘层，其中，

所述背极导电层设置在所述背极绝缘层中间，或者，

所述背极导电层设置在所述背极绝缘层的上方或者下方。