[实用新型]磁控溅射设备的可调式挡板

说明书

本实用新型公开了一种磁控溅射设备的可调式挡板，包括基底，所述基底上开设有通透上下表面的溅射口，所述溅射口内设置有移动挡片，移动挡片与基底水平滑动连接，移动挡片与基底之间设置有固定件，本实用新型可以现场根据实际溅射状况进行调整移动挡片的位置，以随时调节薄膜沉积均匀性，大幅减少新挡板设计、加工时间，提高工艺研发效率。

技术领域

本实用新型属于磁控溅射镀膜设备领域，更具体的说涉及一种磁控溅射设备的可调试挡板。

背景技术

在真空条件下，利用气相沉积技术在基片表面镀制薄膜是获得优良力学性能、特殊物理/化学性能薄膜材料的重要途径，是当今材料科学、物理科学等领域的研究热点。气相沉积技术的核心问题在于利用所选定的沉积方法(如磁控溅射、脉冲激光沉积等)，在待镀的基片表面获得所需性能的薄膜材料。

磁控溅射过程需要通过磁控溅射设备来实现，设备运行过程中，样品盘旋转，而靶材固定，圆形基片以均匀角速度经过圆形靶材之下，造成沉积到基片上的薄膜均匀性不好(5％StdD10％)，通常是内径区域薄膜较厚、外径区域较薄。

在靶材下加入挡板，则可以调节薄膜沉积均匀性，达到StdD1.5％。

目前在的挡板均为固定式挡板，可以有圆形、橄榄球形、蘑菇形、铜钱形等，在工艺研发过程中，挡板的形状，需根据上一次工艺测试的结果进行调整，每一次调整都需要重新设计、加工、打开腔体安装、腔体抽真空等，通常需要3-5天。

而一个工艺的研发，通常需要几次到十几次这样的调整，这导致研发效率低下、机器性能下降(如腔体被污染，颗粒增加等)、产生故障的可能性增加。

实用新型内容

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种可以现场根据实际溅射状况进行调整移动挡片的位置，以随时调节薄膜沉积均匀性，大幅减少新挡板设计、加工时间，提高工艺研发效率。

为实现上述目的，本实用新型提供了如下技术方案：一种磁控溅射设备的可调式挡板，包括基底，所述基底上开设有通透上下表面的溅射口，所述溅射口内设置有移动挡片，移动挡片与基底水平滑动连接，移动挡片与基底之间设置有固定件。

进一步的所述基底包括支撑围壁和支撑横梁，所述支撑围壁包括近端和远端，所述支撑横梁贯穿溅射口连接近端和远端，所述移动挡片与支撑横梁水平滑动连接。

进一步的所述支撑横梁呈条状，所述移动挡片上开设有与支撑横梁相配合的移动凹槽，支撑横梁伸入移动凹槽内。

进一步的所述支撑围壁呈环状，所述移动挡片呈椭圆状，移动挡片的长轴与支撑横梁长度方向相同。

进一步的所述支撑横梁的中部设置有固定板，所述移动挡片设置有两个，移动挡片与固定板部分重叠，两个移动挡片分别靠近支撑围壁的近端和远端。

进一步的所述固定件包括螺钉，所述移动挡片上开设有条形槽，条形槽的长度方向与支撑横梁长度方向相同，所述支撑横梁上开设螺纹孔，螺钉穿过条形槽与螺纹孔配合。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：通过在基底上设置有可移动的移动挡片，移动挡片将部分区域遮挡，在溅射过程中，溅射物质不能通过，速率降低，而移动挡片与基底之间未被遮挡的区域则形成溅射区，在现场进行溅射调试时，可以根据溅射状况，不断的调整移动挡片在基底上的位置，即调整移动挡片与近端和远端之间的间距，以达到最佳的薄膜沉积均匀性，无需不断的设计新挡板，调节效率高。

附图说明

图1为实施例一的主视图；

图2为实施例一中移动挡片与基底分离时的立体结构示意图；

图3为实施例二的主视图(状态一)；

图4为实施例二的主视图(状态二)；